[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造功率金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的方法，其包括：

将所述功率MOSFET的基极区域植入于包括绝缘的栅极结构的半导体芯片的外延层内，

经由第一掩模在所述栅极的一侧上植入源极连结区域，其中所述第一掩模部分地由所述栅极的边缘形成，所述源极连结从表面延伸到所述外延层中且具有由所述第一窗界定的宽度，

随后形成隔片，所述隔片从界定所述第一窗的所述栅极的所述边缘延伸且形成部分地由所述隔片形成的第二掩模，以及

经由所述第二掩模植入源极区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二掩模按所需尺寸形成，使得所述源极连结从所述栅极的所述边缘附近延伸到所述源极区域的边缘。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二掩模按所需尺寸形成，使得所述源极连结从所述栅极的所述边缘附近延伸到所述源极区域中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述源极连结的所述植入的变数按所需尺寸形成，以界定所述功率MOSFET的击穿电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述源极连结的所述植入的所述变数按所需尺寸形成，以界定所述功率MOSFET的导通电阻。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在用于在所述半导体芯片中形成多个集成装置和所述MOSFET的单个制造工艺内形成所述MOSFET。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述多个装置形成控制所述MOSFET的微控制器。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述多个装置形成控制所述MOSFET的脉宽调制器。

9.根据权利要求6所述的方法，其中在所述制造工艺期间形成至少两个MOSFET，且第一MOSFET的漏极连接到第二MOSFET的源极。

10.根据权利要求6所述的方法，其中在所述制造工艺期间形成多个MOSFET，且所述多个MOSFET经互连以形成H形桥。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述基极MOSFET形成在由周围场氧化物界定的区内。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括在所述植入步骤之前形成埋入层的步骤。

13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述栅极的另一侧上形成从顶部表面延伸到所述外延层中的漏极区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括在所述外延层内形成多个晶体管单元，以及形成金属层以互连所述多个晶体管单元的所述栅极区域、漏极区域和源极区域。

15.一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，其包括：

所述功率MOSFET的基极区域，其植入于包括绝缘的栅极结构的半导体芯片的外延层内，

源极连结区域，其经由第一掩模而植入于所述栅极的一侧上，其中所述第一掩模部分地由所述栅极的边缘形成，所述源极连结从表面延伸到所述外延层中且具有由所述第一窗界定的宽度，

隔片，其从界定所述第一窗的所述栅极的所述边缘延伸且形成部分地由所述隔片形成的第二掩模，以及

源极区域，其经由所述第二掩模而植入。

16.根据权利要求15所述的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述第一和第二掩模按所需尺寸形成，使得所述源极连结从所述栅极的所述边缘附近延伸到所述源极区域的边缘。

17.根据权利要求15所述的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述第一和第二掩模按所需尺寸形成，使得所述源极连结从所述栅极的所述边缘附近延伸到所述源极区域中。

18.根据权利要求15所述的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述源极连结的所述植入的变数按所需尺寸形成，以界定所述功率MOSFET的击穿电压。

19.根据权利要求15所述的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述源极连结的所述植入的所述变数按所需尺寸形成，以界定所述功率MOSFET的导通电阻。