[发明专利]覆铜箔层压板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及高频特性优良的覆铜箔层压板及其制造方法。

背景技术

由于液晶聚合物薄膜作为绝缘材料所具有的介电常数、介质损耗角正切等物性即使在高频区域下也稳定，并且吸水率低，因此正在研究将其应用于高频电路基板和高速传输路径用电路。

但是，由于液晶聚合物与金属导体层的紧密附着性或亲和性不足，因此现状是，将通常作为金属导体层使用的铜箔的表面粗糙度增大、或者改变粗化处理的粒子形状，由此利用锚固效应增强物理性紧密附着。

但是，在高频区域随着频率增高，表面粗糙度减小，因此，液晶聚合物与金属导体层的界面变粗糙时，存在如下问题：与表面粗糙度相关的比例增加，传输损耗增大，无法充分发挥原本高频特性优良的液晶聚合物薄膜的性能。

现有技术中记载了如下技术：在气态的含氧原子化合物的存在下，对热塑性液晶聚合物薄膜实施气体放电等离子体处理，从而进行使表面部的氧原子与碳原子的摩尔比为内部的摩尔比的1.2倍以上的表面改性(专利文献1)。这种情况下，向液晶聚合物薄膜引入氧的改性成为必要条件。另外，专利文献1中仅提及到利用氧的表面改性，其为在含氧化合物存在下的等离子体处理，并没有述及利用其他气体的表面改性效果。

另外，专利文献2中记载了在氧压为0.6～2.5Pa的气氛下对热塑性液晶聚合物薄膜进行放电等离子体处理的技术。该技术对液晶聚合物薄膜的粗糙度进行了规定，但仅限于述及了表面粗糙度增大的影响，即阻碍金属种籽层的均匀包覆。

专利文献1和专利文献2中，发现了由氧气中的等离子体处理产生的液晶聚合物薄膜的表面改性效果，但利用还包含其他气体种类的等离子体处理来进行表面改性。关于下述说明的本申请发明的内容、即在处理前后不改变表面粗糙度、并且保持液晶聚合物薄膜原本具有的优良的高频特性，在专利文献1、2中完全没有公开。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-49002号公报

专利文献2：日本特开2005-297405号公报

发明内容

本发明中，将液晶聚合物与金属导体层之间的界面粗糙度保持于与原本的薄膜粗糙度同等的水平，并通过等离子体处理使化学紧密附着变得牢固，由此提供高频特性优良的液晶聚合物的覆铜箔层压板。

即，本发明提供：

1)一种覆铜箔层压板，其特征在于，在气压为2.6～15Pa的氧气气氛或氮气气氛下对液晶聚合物薄膜的表面进行等离子体处理后的表面上具备通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层。

2)如上述1)所述的覆铜箔层压板，其特征在于，液晶聚合物薄膜的等离子体处理后的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下。

3)如上述1)或2)所述的覆铜箔层压板，其特征在于，每单位长度的传输损耗在5GHz下为20dB/m以下。

4)如上述1)或2)所述的覆铜箔层压板，其特征在于，每单位长度的传输损耗在20GHz下为50dB/m以下。

5)如上述1)或2)所述的覆铜箔层压板，其特征在于，每单位长度的传输损耗在40GHz下为130dB/m以下。

另外，本发明提供：

6)如上述1)～5)中任一项所述的覆铜箔层压板，其特征在于，在等离子体处理后的液晶聚合物薄膜的表面与通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层之间具有阻挡层。

7)如上述6)所述的覆铜箔层压板，其特征在于，阻挡层为包含镍或镍合金、钴或钴合金、或者铬或铬合金的连接层。

8)如上述1)～7)中任一项所述的覆铜箔层压板，其特征在于，所述金属导体层为铜溅射层和在该溅射层上形成的电镀铜层。

另外，本发明提供：

9)一种覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，在气压为2.6～15Pa的氧气气氛或氮气气氛下对液晶聚合物薄膜的表面进行等离子体处理后，通过干式镀法和/或湿式镀法形成金属导体层。

10)如上述9)所述的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，通过对液晶聚合物薄膜进行等离子体处理，使得液晶聚合物薄膜的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下。

11)如上述9)或10)所述的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，使得覆铜箔层压板的每单位长度的传输损耗在5GHz下为20dB/m以下。