[发明专利]覆铜箔层压板及其制造方法

权利要求书

1.一种覆铜箔层压板，其特征在于，在气压为2.6～15Pa的氧气气氛或氮气气氛下对液晶聚合物薄膜的表面进行等离子体处理后的表面上具备通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层。

2.如权利要求1所述的覆铜箔层压板，其特征在于，液晶聚合物薄膜的等离子体处理后的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下。

3.如权利要求1或2所述的覆铜箔层压板，其特征在于，每单位长度的传输损耗在5GHz下为20dB/m以下。

4.如权利要求1或2所述的覆铜箔层压板，其特征在于，每单位长度的传输损耗在20GHz下为50dB/m以下。

5.如权利要求1或2所述的覆铜箔层压板，其特征在于，每单位长度的传输损耗在40GHz下为130dB/m以下。

6.如权利要求1～5中任一项所述的覆铜箔层压板，其特征在于，在等离子体处理后的液晶聚合物薄膜的表面与通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层之间具有阻挡层。

7.如权利要求6所述的覆铜箔层压板，其特征在于，阻挡层为包含镍或镍合金、钴或钴合金、或者铬或铬合金的连接层。

8.如权利要求1～7中任一项所述的覆铜箔层压板，其特征在于，所述金属导体层为铜溅射层和在该溅射层上形成的电镀铜层。

9.一种覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，在气压为2.6～15Pa的氧气气氛或氮气气氛下对液晶聚合物薄膜的表面进行等离子体处理后，通过干式镀法和/或湿式镀法形成金属导体层。

10.如权利要求9所述的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，通过对液晶聚合物薄膜进行等离子体处理，使得液晶聚合物薄膜的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.15μm以下且以均方根粗糙度Rq计为0.20μm以下。

11.如权利要求9或10所述的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，使得覆铜箔层压板的每单位长度的传输损耗在5GHz下为20dB/m以下。

12.如权利要求9或10所述的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，使得覆铜箔层压板的每单位长度的传输损耗在20GHz下为50dB/m以下。

13.如权利要求9或10所述的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，使得覆铜箔层压板的每单位长度的传输损耗在40GHz下为130dB/m以下。

14.如权利要求9～13中任一项所述的覆铜箔层压板，其特征在于，在等离子体处理后的液晶聚合物薄膜的表面与通过干式镀法和/或湿式镀法形成的金属导体层之间形成阻挡层。

15.如权利要求14所述的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，形成包含镍或镍合金、钴或钴合金、或者铬或铬合金的连接层作为阻挡层。

16.如权利要求9～15中任一项所述的覆铜箔层压板的制造方法，其特征在于，作为所述金属导体层，预先形成铜溅射层，并在该溅射层上形成电镀铜层。