[发明专利]惯性力传感器

说明书

技术领域

本发明涉及用于携带终端或车辆等的检测加速度及角速度等的惯性力传感器。

背景技术

图11是现有的惯性力传感器1的剖视图。惯性力传感器1具备：基体2、形成于基体2上的下部电极层3、形成于下部电极层3上的压电层4和形成于压电层4上的上部电极层5。

在惯性力传感器1中，有时噪声等级变大，而使与惯性力传感器1连接的电路部的耗电量增大。

专利文献1中公开了与惯性力传感器1类似的惯性力传感器。

专利文献1：（日本）特开2008－224628号公报

发明内容

惯性力传感器具备：基体、设于基体的转换器、设于基体且与转换器连接的配线。配线具有：形成于基体上的下部电极层、形成于下部电极层上的压电层、形成于压电层上的电容减少层、形成于电容减少层上的上部电极层。电容减少层的介电常数比压电层的介电常数小。

该惯性力传感器能够改善噪声等级。

附图说明

图1A是本发明实施方式1的惯性力传感器的剖视图；

图1B是实施方式1的其它的惯性力传感器的剖视图；

图2A是表示实施方式1的惯性力传感器的制造工艺的流程图；

图2B是表示比较例的惯性力传感器的制造工艺的流程图；

图3是实施方式1的再其它的惯性力传感器的俯视图；

图4A是图3所示的惯性力传感器的线4A－4A的剖视图；

图4B是图3所示的惯性力传感器的线4B－4B的剖视图；

图5A是表示图3所示的惯性力传感器的线5A－5A的截面的SEM照片的图；

图5B是表示比较例的惯性力传感器的截面的SEM照片的图；

图6是实施方式1的再其它的惯性力传感器的剖视图；

图7是实施方式1的再其它的惯性力传感器的俯视图；

图8A是图7所示的惯性力传感器的线8A－8A的剖视图；

图8B是图7所示的惯性力传感器的线8B－8B的剖视图；

图9是本发明实施方式2的惯性力传感器的俯视图；

图10是本发明实施方式3的惯性力传感器的俯视图；

图11是现有的惯性力传感器的剖视图。

符号说明

6   惯性力传感器

7   基体

8   下部电极层（第一下部电极层、第二下部电极层）

9   压电层（第一压电层、第二压电层）

10  电容减少层

11  上部电极层（第一上部电极层、第二上部电极层）

16  驱动电极（转换器）

17  检测电极（转换器）

18  监视电极（转换器）

19  配线

110 电容减少层

具体实施方式

（实施方式1）

图1A是本发明实施方式1的惯性力传感器6的剖视图。检测加速度及角速度等的惯性力的惯性力传感器6具有形成配线的区域。该区域具备：基体7、形成于基体7的上面的下部电极层8、形成于下部电极层8的上面的压电层9、形成于压电层9上的面的电容减少层10、形成于电容减少层10的上面的上部电极层11。电容减少层10的介电常数比压电层9的介电常数小。

根据该构成，能够减少下部电极层8和上部电极层11之间的电容。其结果是，能够减小惯性力传感器6的噪声等级，改善灵敏度。还能够抑制与惯性力传感器6连接的电路部的耗电量。

下面，对各构成要素进行说明。

基体7使用硅（Si）等半导体材料、熔融石英、氧化铝等非压电材料而形成。优选可以通过使用硅，而采用微细加工技术制作小型的惯性力传感器6。另外，也可以在基体7的表面形成例如由氧化硅膜（SiO₂）构成的阻挡层或由钛（Ti）构成的密合层等其它层。

下部电极层8例如为由铜、银、金、钛、钨、铂、铬、钼的至少一种构成的单体金属、或者以该单体金属为主要成分的合金或这些金属层叠而成的结构。优选通过设定为含有Ti或TiOx的铂（Pt），得到电动率高且高温氧化环境下的稳定性优异的下部电极层8。在实施方式1中，下部电极层8的厚度为100nm～500nm。