[发明专利]惯性力传感器有效
申请号: | 201180055413.4 | 申请日: | 2011-11-07 |
公开(公告)号: | CN103221777A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 石田贵巳;藤井刚 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G01C19/5607 | 分类号: | G01C19/5607;G01P15/10;H01L41/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 惯性力 传感器 | ||
1.一种惯性力传感器,具备:
基体;
设于所述基体的转换器;
设于所述基体且与所述转换器连接的配线,
所述配线具有:
形成于所述基体的上面的第一下部电极层;
形成于所述第一下部电极层的上面的第一压电层;
形成于所述第一压电层的上面的电容减少层;
形成于所述电容减少层的上面的第一上部电极层,
所述电容减少层的介电常数比所述第一压电层的介电常数小。
2.如权利要求1所述的惯性力传感器,其中,
所述第一压电层和所述第一上部电极层整体性地覆盖所述电容减少层,以使所述电容减少层不露出。
3.如权利要求1所述的惯性力传感器,其中,
所述电容减少层具有位于所述第一压电层的所述上面的下面,
所述电容减少层具有与所述电容减少层的所述上面和所述下面连接的侧面,
所述第一上部电极层覆盖所述电容减少层的所述上面和所述侧面。
4.如权利要求1所述的惯性力传感器,其中,
所述电容减少层的厚度为所述第一上部电极层的厚度以下。
5.如权利要求1所述的惯性力传感器,其中,
所述电容减少层的介电常数为所述第一压电层的介电常数的5%以下。
6.如权利要求1所述的惯性力传感器,其中,
所述电容减少层由感光性有机材料构成。
7.如权利要求1所述的惯性力传感器,其中,
所述电容减少层由感光性聚酰亚胺构成。
8.如权利要求1所述的惯性力传感器,其中,
所述电容减少层由碱性显影型的感光性聚酰亚胺构成。
9.如权利要求1所述的惯性力传感器,其中,
所述电容减少层的固化温度比所述第一压电层的居里温度低。
10.如权利要求1所述的惯性力传感器,其中,
所述转换器具有:
形成于所述基体的所述上面的第二下部电极层;
形成于所述第二下部电极层的上面的第二压电层;
形成于所述第二压电层的上面的第二上部电极层。
11.如权利要求10所述的惯性力传感器,其中,
所述第二下部电极层连续延伸至所述第一下部电极层,
所述第二压电层连续延伸至所述第一压电层,
所述第二上部电极层连续延伸至所述第一上部电极层。
12.如权利要求1所述的惯性力传感器,其中,
所述转换器检测施加于所述基体的应力。
13.如权利要求1所述的惯性力传感器,其中,
所述转换器驱动所述基体使之振动。
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