[发明专利]基于二氮杂二烯的金属化合物、其生产方法和使用其形成薄膜的方法有效
申请号: | 201180055167.2 | 申请日: | 2011-11-17 |
公开(公告)号: | CN103298971A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 韩元锡 | 申请(专利权)人: | UP化学株式会社 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/44 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 二氮杂二烯 金属 化合物 生产 方法 使用 形成 薄膜 | ||
1.一种由下列化学式1至4中任一个表示的基于二氮杂二烯(DAD)的金属化合物:
<化学式1>
<化学式2>
<化学式3>
<化学式4>
其中,在所述化学式1至4中,
M表示Ni、Co或Mn,以及
R1至R4中的每个各自独立地表示氢,或具有碳原子数范围为从1至6的直链或支链的烷基。
2.根据权利要求1所述的基于二氮杂二烯的金属化合物,
其中,所述基于二氮杂二烯的金属化合物由所述化学式1表示,所述化学式1中,R1和R2是异丙基或叔丁基,且R3和R4是氢。
3.根据权利要求1所述的基于二氮杂二烯的金属化合物,
其中,所述基于二氮杂二烯的金属化合物由所述化学式2表示,所述化学式2中,R1和R2是异丙基或叔丁基,且R3是氢。
4.根据权利要求1所述的基于二氮杂二烯的金属化合物,
其中,所述基于二氮杂二烯的金属化合物由所述化学式3表示,所述化学式3中,R1和R2是异丙基或叔丁基,且R3和R4是氢。
5.根据权利要求1所述的基于二氮杂二烯的金属化合物,
其中,所述基于二氮杂二烯的金属化合物由所述化学式4表示,所述化学式4中,R1和R2是异丙基或叔丁基,且R3和R4是氢。
6.一种用于生产由下面的化学式1表示的基于二氮杂二烯的金属化合物的方法,如下面的反应式1所示,该方法包括:
使由下面的化学式5表示的二氮杂二烯中性配位体与氢还原剂反应,以合成二氮杂二烯诱导的二价负离子;以及
使由下面的所述化学式5表示的所述二氮杂二烯中性配位体与由MX2表示的二价的金属卤素化合物反应,然后向其中加入所述二氮杂二烯诱导的二价负离子,从而使它们之间反应:
<化学式1>
<化学式5>
<反应式1>
其中
X表示Cl、Br或I,
M表示Ni、Co或Mn,以及
R1至R4中的每个各自独立地表示氢,或具有碳原子数范围为从1至6的直链或支链的烷基。
7.一种用于生产由下面的化学式2表示的基于二氮杂二烯的金属化合物的方法,如下面的所述反应式2所示,该方法包括:
使由下面的化学式6表示的二氮杂二烯中性配位体与氢还原剂反应,以合成二氮杂二烯诱导的一价负离子;以及
加入由MX2表示的二价的金属卤素化合物至所述二氮杂二烯诱导的一价负离子,从而使它们之间反应:
<化学式2>
<化学式6>
<反应式2>
其中
X表示Cl、Br或I,
M表示Ni、Co或Mn,以及
R1至R4中的每个各自独立地表示氢,或具有碳原子数范围为从1至6的直链或支链的烷基。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于UP化学株式会社,未经UP化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180055167.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的