[发明专利]钽的离子诱导原子层沉积

权利要求书

1.一种方法，其包括：

（a）使用利用钽前体的离子诱导原子层沉积工艺在晶片衬底的表面上沉积钽层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钽层选自由金属钽层、富钽钽化合物层、和混合有钽化合物的金属钽层组成的群组。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钽层包括共形层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钽前体包括钽卤化物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述钽卤化物包括五氯化钽二乙基硫醚。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述钽卤化物在室温和常压下是液体或固体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片衬底的所述表面包括电介质层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钽层至少约一个单层厚。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钽层约3至50埃厚。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钽层的厚度小于约50埃。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

（b）在所述钽层上沉积铜。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述铜使用物理气相沉积工艺沉积。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述铜在约200至300℃之间的温度沉积。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述晶片衬底包括尺寸为约3纳米或更小的特征。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述铜使用物理气相沉积工艺沉积并且所述铜完全填满所述特征。

16.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

在操作（a）前，使用配置成比第一等离子体辅助沉积工艺在所述晶片衬底中产生显著较少的损坏的工艺在所述晶片衬底的表面上沉积保护层，其中，所述保护层的厚度小于约100埃。

17.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

施加光致抗蚀剂到所述晶片衬底；

使所述光致抗蚀剂暴露于光；

图案化所述光致抗蚀剂并转移图案到所述晶片衬底上；以及

从所述晶片衬底选择性地去除所述光致抗蚀剂。

18.一种装置，其包括：

（a）处理室；以及

（b）控制器，其包括程序指令，所述程序指令用于执行包括以下操作的处理：

使用利用钽前体的离子诱导原子层沉积工艺在晶片衬底的表面上沉积钽层。

19.一种系统，其包括权利要求18所述的装置和步进式曝光机。

20.一种非暂时性计算机的机器可读介质，其包括用于控制沉积装置的程序指令，所述指令包括用于以下操作的代码：

使用利用钽前体的离子诱导原子层沉积工艺在晶片衬底的表面上沉积钽层。