[发明专利]用于IMOD显示器的电介质增强镜有效
申请号: | 201180051011.7 | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN103180761A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 马克·莫里斯·米尼亚尔;卡斯拉·哈泽尼 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;G02B5/08;G02B26/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 吴晓辉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 imod 显示器 电介质 增强 | ||
相关申请案交叉参考
本发明主张2010年8月31日提出申请、标题为“用于IMOD显示器的电介质增强镜(DIELECTRIC ENHANCED MIRROR FOR IMOD DISPLAY)”且转让给本发明受让人的第61/378,853号美国临时专利申请案及2011年3月28日提出申请、标题为“用于IMOD显示器的电介质增强镜(DIELECTRIC ENHANCED MIRROR FOR IMOD DISPLAY)”且转让给本发明受让人的第13/073,829号美国专利申请案的优先权。先前申请案的揭示内容被视为本发明的一部分且以引用方式并入本发明中。
技术领域
本发明涉及机电系统。更具体来说,本发明涉及包含电介质堆叠的干涉调制器装置。
背景技术
机电系统包含具有电及机械元件、激活器、换能器、传感器、光学组件(例如,镜)及电子器件的装置。可以多种尺寸制造机电系统,包含但不限于微米尺寸及纳米尺寸。举例来说,微机电系统(MEMS)装置可包含具有介于从大约一微米到数百微米或更大的范围内的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于一微米的大小(举例来说,包含小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分或添加层以形成电装置及机电装置的其它微机械加工工艺形成机电元件。
一种类型的机电系统装置称作干涉调制器(IMOD)。如本文中所用,术语干涉调制器或干涉光调制器是指使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中,干涉调制器可包含一对导电板,所述对导电板中的一者或两者可为全部或部分透明的及/或反射的且能够在施加适当电信号时相对运动。在实施方案中,一个板可包含沉积于衬底上的固定层且另一板可包含通过气隙与所述固定层分离的反射膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于干涉调制器上的光的光学干涉。干涉调制器装置具有广泛的应用,且预期用于改进现有产品及形成新产品,尤其是具有显示能力的那些产品。
发明内容
本发明的系统、方法及装置各自具有数个创新性方面,所述方面中的单个方面均不单独地决定本文中所揭示的所要属性。
可以一种显示装置来实施本发明中所描述的标的物的一个创新性方面,所述显示装置包含部分透明且部分反射层、具有第一厚度及第一折射率特性的第一电介质层、具有第二厚度及第二折射率特性的第二电介质层、反射层及光学共振腔。所述第一电介质层的穿过所述第一厚度的光学路径长度与所述第二电介质层的穿过所述第二厚度的光学路径长度约相同,且所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性。所述第二电介质层安置于所述反射层与所述第一电介质层之间且所述光学共振腔界定于所述部分透明且部分反射层与所述反射层之间。在一个方面中,所述第一折射率特性可大于2.1且/或所述第二折射率特性可小于1.6。在另一方面中,所述第一电介质层可具有小于0.5的消光系数特性。在一个方面中,所述装置还可包含界定于所述部分透明且部分反射层与所述第一电介质层之间的气隙。
可以一种显示装置来实施本发明中所描述的标的物的另一创新性方面,所述显示装置包含:用于部分反射且部分透射光的装置、具有第一厚度及第一折射率特性的第一电介质装置、具有第二厚度及第二折射率特性的第二电介质装置、用于反射光的装置及光学共振装置。所述第一电介质装置的穿过所述第一厚度的光学路径长度与所述第二电介质装置的穿过所述第二厚度的光学路径长度约相同。所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性且所述第一电介质装置安置于所述部分反射且部分透射装置与所述第二电介质装置之间。所述第二电介质装置安置于所述反射装置与所述第一电介质装置之间且所述光学共振装置界定于所述部分反射且部分透射装置与所述第一反射装置之间。在一个方面中,所述第一折射率特性可大于2.1且/或所述第二折射率特性可小于1.6。
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