[发明专利]用于IMOD显示器的电介质增强镜有效
申请号: | 201180051011.7 | 申请日: | 2011-08-26 |
公开(公告)号: | CN103180761A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 马克·莫里斯·米尼亚尔;卡斯拉·哈泽尼 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;G02B5/08;G02B26/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 吴晓辉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 imod 显示器 电介质 增强 | ||
1.一种显示装置,其包括:
部分透明且部分反射层;
第一电介质层,其具有第一厚度及第一折射率特性;
第二电介质层,其具有第二厚度及第二折射率特性,其中所述第一电介质层的穿过所述第一厚度的光学路径长度与所述第二电介质层的穿过所述第二厚度的光学路径长度约相同,且其中所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性;
反射层,其中所述第二电介质层安置于所述反射层与所述第一电介质层之间;及
光学共振腔,其界定于所述部分透明且部分反射层与所述反射层之间。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一折射率特性大于2.1。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述第一电介质层具有小于0.5的消光系数特性。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述第一电介质层包含二氧化锆、二氧化钛、磷化镓、硅、氮化镓、磷化铟及氧化铪中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二折射率特性小于1.6。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述第二电介质层包含氟化镁及二氧化硅中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一厚度在约20nm与约100nm之间。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二厚度在约20nm与约100nm之间。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一电介质层的穿过所述第一厚度的所述光学路径长度在(1/8)*λ与(3/8)*λ之间。
10.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括界定于所述部分透明且部分反射层与所述第一电介质层之间的气隙。
11.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括:
显示器;
处理器,其经配置以与所述显示器通信,所述处理器经配置以处理图像数据;及
存储器装置,其经配置以与所述处理器通信。
12.根据权利要求11所述的装置,其进一步包括:
驱动电路,其经配置以将至少一个信号发送到所述显示器;及
控制器,其经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路。
13.根据权利要求12所述的装置,其进一步包括经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路的控制器。
14.根据权利要求11所述的装置,其进一步包括经配置以将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块。
15.根据权利要求14所述的装置,其中所述图像源模块包含接收器、收发器及发射器中的至少一者。
16.根据权利要求11所述的装置,其进一步包括经配置以接收输入数据且将所述输入数据传递到所述处理器的输入装置。
17.一种显示装置,其包括:
用于部分反射且部分透射光的装置;
第一电介质层,其具有第一厚度及第一折射率特性;
第二电介质层,其具有第二厚度及第二折射率特性,其中所述第一电介质层的穿过所述第一厚度的光学路径长度与所述第二电介质层的穿过所述第二厚度的光学路径长度约相同,其中所述第一折射率特性大于所述第二折射率特性,且其中所述第一电介质层安置于所述部分反射且部分透射装置与所述第二电介质层之间;
用于反射光的装置,其中所述第二电介质层安置于所述反射装置与所述第一电介质层之间;及
光学共振腔,其界定于所述部分反射且部分透射装置与所述反射装置之间。
18.根据权利要求17所述的装置,其中所述第一折射率特性大于2.1。
19.根据权利要求17所述的装置,其中所述第二折射率特性小于1.6。
20.根据权利要求17所述的装置,其中所述第一电介质层的穿过所述第一厚度的所述光学路径长度在(1/8)*λ与(3/8)*λ之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通MEMS科技公司,未经高通MEMS科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180051011.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:胶带切割器
- 下一篇:液氮冷冻生物组织的有孔型塑料封口袋