[发明专利]芯片型陶瓷电子部件及其制造方法有效
| 申请号: | 201180050122.6 | 申请日: | 2011-09-22 |
| 公开(公告)号: | CN103168332A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
| 发明(设计)人: | 大谷真史 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/252;H01G4/30 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王玉玲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 陶瓷 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一种芯片型陶瓷电子部件,其特征在于,
具备:
具备相对置的2个端面、和将所述2个端面间连结的4个侧面的长方体形状的陶瓷坯体,和
外部电极,所述外部电极按照从所述陶瓷坯体的、所述端面或所述侧面中的一个面越过棱线部而蔓延至其他的面的方式加以配设,且蔓延至所述其他的面的部分的至少前端部由含有树脂和导电成分的树脂电极构成;
构成所述外部电极的树脂电极的、蔓延至所述其他的面的部分的至少前端部,与所述陶瓷坯体接合,并且所述陶瓷坯体的表面的所述外部电极的所述前端部所接合的区域的十点平均粗糙度Rz1、与所述陶瓷坯体的表面的未形成所述外部电极的区域的十点平均粗糙度Rz2的关系满足如下要件:
Rz1>Rz2、
Rz1>3.3μm、
Rz2<3.2μm。
2.根据权利要求1所述的芯片型陶瓷电子部件,其特征在于,
所述陶瓷坯体具备内部电极,并且所述内部电极被引出到所述陶瓷坯体的规定的面,
所述外部电极按照从所述陶瓷坯体的引出了所述内部电极的面越过棱线部蔓延至其他的面的方式而形成。
3.根据权利要求1或2所述的芯片型陶瓷电子部件,其特征在于,
所述外部电极具备:
与所述陶瓷坯体的表面接合的下层电极,和
上层电极,所述上层电极以覆盖所述下层电极的方式加以配设,且蔓延至所述其他的面的部分的至少所述前端部与所述陶瓷坯体的表面接合;
所述上层电极是所述树脂电极。
4.根据权利要求3所述的芯片型陶瓷电子部件,其特征在于,
所述上层电极覆盖所述下层电极的整体,并且所述上层电极的边缘部的整体,到达比所述下层电极的边缘部靠近外侧的区域,直接接合于所述陶瓷坯体的表面。
5.根据权利要求3或4所述的芯片型陶瓷电子部件,其特征在于,
所述陶瓷坯体具备多个所述内部电极,并且规定的所述内部电极在所述陶瓷坯体的相对置的2个端面中的任一面露出,在所述端面形成有所述下层电极,由所述树脂电极构成的所述上层电极覆盖所述下层电极并且越过棱线部而蔓延至所述陶瓷坯体的所述侧面,蔓延至所述侧面的部分的至少前端部直接与所述陶瓷坯体接合。
6.根据权利要求3~5中任一项所述的芯片型陶瓷电子部件,其特征在于,
所述下层电极是通过对含有金属粉末、玻璃粉末、有机粘合剂和有机溶剂的导电性糊料进行烧成而形成的烧结电极、或通过镀敷而形成的镀敷电极。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的芯片型陶瓷电子部件,其特征在于,
作为用于提高所述外部电极的表面的浸焊性的镀敷膜层,形成有
(a)含有由镀Ni膜形成的第1镀敷膜层和形成于其上的由镀Sn膜形成的第2镀敷膜层的镀敷膜层,或
(b)含有由镀Ni膜形成的第1镀敷膜层和形成于其上的由镀Pb膜形成的第2镀敷膜层的镀敷膜层
中的任一镀敷膜层。
8.一种芯片型陶瓷电子部件的制造方法,其特征在于,是用于制造权利要求1~7中任一项所述的芯片型陶瓷电子部件的方法,
作为用于形成所述陶瓷坯体的工序,具备:
通过将所述陶瓷坯体与含有研磨介质的浆料一起搅拌,从而对所述陶瓷坯体的表面整体进行研磨的工序,和
将在所述工序中进行了研磨后的所述陶瓷坯体的表面的、未形成所述外部电极的区域加以掩蔽,通过对露出的区域喷射研磨剂,从而将所述陶瓷坯体的应该形成所述外部电极的面加以粗面化的工序;
就所述陶瓷坯体而言,所述外部电极的所述前端部所接合的区域的十点平均粗糙度Rz1、与所述陶瓷坯体的表面的未形成所述外部电极的区域的十点平均粗糙度Rz2的关系满足下述要件:
Rz1>Rz2、
Rz1>3.3μm、
Rz2<3.2μm。
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