[发明专利]薄晶片处理的多粘合层

权利要求书

1.一种临时粘合方法，包括：

提供叠层，所述叠层包括：

具有背表面和器件表面的第一衬底；

与所述器件表面毗邻并具有一软化温度的第一粘合层；

与所述第一粘合层毗邻并具有一软化温度的第二粘合层，其中所述第一粘合层的软化温度至少比所述第二粘合层的软化温度高大约20℃；以及

具有载体表面的第二衬底，所述第二粘合层毗邻于所述载体表面；以及

分离所述第一衬底和所述第二衬底。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一粘合层具有至少约24μm的厚度T₁。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二粘合层具有至少约35μm的厚度T₃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一粘合层具有至少约100℃的软化点。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二粘合层具有至少约220℃的软化点。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一粘合层由包含溶解或分散在溶剂系统中的聚合物或低聚物的组合物形成，所述聚合物或低聚物从由下列聚合物和低聚物构成的组中选取：环烯烃、环氧树脂、丙烯酸树脂、硅树脂、苯乙烯、卤乙烯、乙烯基酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚砜、聚醚砜、环烯烃、聚烯烃橡胶以及聚氨酯、乙烯丙烯橡胶、聚酰胺脂、聚酰亚胺酯、聚缩醛和聚乙烯醇缩丁醛（polyvinyl buterol）。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二粘合层由包含溶解或分散在溶剂系统中的聚合物或低聚物的组合物形成，所述聚合物或低聚物从由下列聚合物和低聚物构成的组中选取：环烯烃、环氧树脂、丙烯酸树脂、硅树脂、苯乙烯、卤乙烯、乙烯基酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚砜、聚醚砜、环烯烃、聚烯烃橡胶以及聚氨酯、乙烯丙烯橡胶、聚酰胺脂、聚酰亚胺酯、聚缩醛和聚乙烯醇缩丁醛。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件表面包括从由以下各项构成的组中选取的器件阵列：集成电路；MEMS；微传感器；功率半导体；发光二极管；光子电路；介入物；嵌入式无源器件；以及制造在硅、硅锗、砷化镓和氮化镓上或从其制造的微型器件。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二衬底包括从由硅、蓝宝石、石英、金属、玻璃和陶瓷构成的组中选取的材料。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件表面包括从下列结构构成的组中选取的至少一种结构：焊料凸起、金属柱、金属墩以及由下列材料构成的组中选取的材料形成的结构：硅、多晶硅、二氧化硅、氮(氧)化硅、金属、低k电介质、聚合物电介质、金属氮化物和金属硅化物。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在分离所述第一和第二衬底之前，使所述叠层受到从由以下各项构成的组中选取的加工：背侧磨削、化学-机械抛光、蚀刻、金属和电介质沉积、图案化、钝化、退火及其组合。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分离步骤包括将所述叠层加热至足够高的温度以充分地软化所述第二粘合层以允许所述第一和第二衬底分离。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括在所述分离之后从所述第一衬底去除所述第一粘合层。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一粘合层的至少一部分在所述分离之后保持在所述第一衬底上并在后续的加工步骤中出现。

15.一种制品，包括：

具有背表面和器件表面的第一衬底；

与所述器件表面毗邻并具有一软化温度的第一粘合层；

与所述第一粘合层毗邻并具有一软化温度的第二粘合层，其中所述第一粘合层的软化温度至少比所述第二粘合层的软化温度高大约20℃；以及

具有载体表面的第二衬底，所述第二粘合层毗邻于所述载体表面。

16.如权利要求15所述的制品，其特征在于，所述第一粘合层具有至少约24μm的厚度T₁。

17.如权利要求15所述的制品，其特征在于，所述第二粘合层具有至少约35μm的厚度T₃。