[发明专利]积层陶瓷电容器

说明书

技术领域

本发明涉及一种使用以CaZrO₃系化合物作为主成分的介电陶瓷组合物的积层陶瓷电容器、使用以Cu作为主成分的内部电极的积层陶瓷电容器、及其制造方法。

背景技术

先前，以CaZrO₃作为主成分的介电陶瓷是用于高频用介电共振器、滤波器或积层陶瓷电容器等。对于此种积层陶瓷电容器等，为了应对近年来机器的高频率化(100MHz～2GHz的程度)而期待介电常数的温度系数更小。作为积层陶瓷电容器的内部电极，就ESR(Equivalent Series Resistance，等效串联电阻)低、在高频区域的损失小(Q值高)、及低成本化的方面而言，需选择比电阻小的贱金属，而使用Cu代替Ni、Pd。另外，作为介电质，要求Q值高、介电常数的温度系数小、且为高可靠性的介电质，此外由于将Cu用于内部电极，所以为了可在1080℃以下的低温下进行煅烧，防止Cu的氧化，而要求为非还原性材料。另外，就环境方面而言，期待不含有Pb或Bi的介电质。满足此种要求的介电陶瓷组合物已众所周知，多篇专利文献中揭示了将该介电陶瓷组合物用于积层陶瓷电容器的情况。

例如专利文献1中揭示了含有作为主成分的(Ca_1-xSr_x)_m(Zr_1-yTi_y)O_3-zMnO_2-wSiO₂与作为添加剂的a(LiO_1/2-RO)-(1-a)(BO_3/2-SiO₂)(其中，RO为SrO、BaO及CaO中的至少1种)的非还原性介电陶瓷组合物，该非还原性介电陶瓷组合物“可获得一种可在约1000℃以下的低温下进行煅烧，因此可将铜用作电极材料，并且Q值及介电常数高、且介电常数的温度特性也稳定的介电陶瓷”(段落[0005])。然而，关于以Cu作为内部电极的积层陶瓷电容器的寿命特性的改善，并未充分研究。

另外，专利文献2中揭示了含有(CaO)_x(Zr_1-y-Ti_y)O₂所表示的复合氧化物、Mn化合物及(aLi₂O-bB₂O₃-cCaO)所示的玻璃成分的介电陶瓷组合物，“该介电陶瓷组合物即使在1000℃以下的还原性环境中也可进行烧结，且介电常数高，并且介电常数的温度特性稳定，高频区域(GHz带)的Q值以Qf计成为10000以上，尤其是高频区域的Q值大幅度提高”(段落[0015])。然而，关于以Cu作为内部电极的积层陶瓷电容器的寿命特性的改善，并未充分研究。