[发明专利]积层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种积层陶瓷电容器，其具有多个介电层、埋设在该介电层间的以Cu作为主成分的内部电极、及与该内部电极的一端电气连接的外部电极，其特征在于：上述介电层含有包含CaZrO₃系化合物的主成分、与含有Mn、B、Si及Li的副成分，上述介电层中形成有包含上述主成分的主相、含有Ca与上述副成分的至少一种的偏析相、及至少含有Ca与Zr的二次相，该二次相中的Ca相对于Zr的比率小于上述主相中的Ca相对于Zr的比率，且在上述内部电极所挟持的上述介电层的剖面上的上述二次相在计数直径为100nm以上的二次相的情况下，换算成每10μm²平均为30个以下。

2.根据权利要求1所述的积层陶瓷电容器，其特征在于：在上述介电层中，将包含上述CaZrO₃系化合物的主成分设为Ca_xZrO₃，将上述介电层的组成以Ca_xZrO₃+aMn+bLi+cB+dSi(a～d为相对于100摩尔Ca_xZrO₃的摩尔数)表示的情况下，相对于100摩尔Ca_xZrO₃(其中，1.00＜x≤1.15)含有0.5≤a≤5.0摩尔，且将x设为纵轴，将(b+c+d)设为横轴时，x与(b+c+d)的关系处于下述A-B-C-D所包围的四边形的区域内(包括线上)；A：(x，b+c+d)＝(1.00，6)、B：(x，b+c+d)＝(1.06，15)、C：(x，b+c+d)＝(1.16，15)、D：(x，b+c+d)＝(1.01，6)。

3.根据权利要求1或2所述的积层陶瓷电容器，其特征在于：在上述介电层中含有Mg作为杂质的情况下，Mg的含量以摩尔比计为Si含量的1/2以下。

4.根据权利要求3所述的积层陶瓷电容器，其特征在于：在上述介电层中作为杂质而含有的Mg的至少一部分与Si一并局部存在于上述偏析相的一部分中。

5.一种积层陶瓷电容器的制造方法，该积层陶瓷电容器是根据权利要求1至4中任一项所述的积层陶瓷电容器，其特征在于依序具备如下步骤：陶瓷原料准备步骤，其是准备在包含CaZrO₃系化合物的主成分原料中，以氧化物或玻璃或其他化合物等形态至少含有Mn、B、Si及Li作为副成分原料的陶瓷原料；片体形成步骤，其是使用该陶瓷原料来形成陶瓷生片；印刷步骤，其是将以Cu作为主成分的内部电极图案印刷在该陶瓷生片上；积层步骤，其是积层经过该印刷步骤的陶瓷生片而形成积层体；裁剪步骤，其是将该积层体就各个内部电极图案进行裁剪而获得小片状的积层体；煅烧步骤，其是通过在1080℃以下的温度下、在还原性环境中煅烧该裁剪步骤所获得的小片状的积层体而获得烧结体；及外部电极形成步骤，其是以在该烧结体的两端部与该内部电极电气连接的方式涂布外部电极用导电膏并实施烘烤处理；并且在上述原料准备步骤中，使陶瓷原料不含有CaCO₃。

6.一种积层陶瓷电容器的制造方法，该积层陶瓷电容器是根据权利要求1至4中任一项所述的积层陶瓷电容器，其特征在于依序具备如下步骤：陶瓷原料准备步骤，其是准备在包含CaZrO₃系化合物的主成分原料中，以氧化物或玻璃、其他化合物等形态至少含有Mn、B、Si及Li作为副成分原料的陶瓷原料；片体形成步骤，其是使用该陶瓷原料来形成陶瓷生片；印刷步骤，其是将以Cu作为主成分的内部电极图案印刷在该陶瓷生片上；积层步骤，其是积层经过该印刷步骤的陶瓷生片而形成积层体；裁剪步骤，其是将该积层体就各个内部电极图案进行裁剪而获得小片状的积层体；外部电极形成步骤，其是以在该裁剪步骤所获得的小片状的积层体的两端部与该内部电极电气连接的方式涂布外部电极用导电膏；及煅烧步骤，其是在1080℃以下的温度下、在还原性环境中煅烧该外部电极形成步骤所获得的小片状的积层体；并且在上述原料准备步骤中，使陶瓷原料不含有CaCO₃。