[发明专利]充电构件、处理盒和电子照相设备

权利要求书

1.一种充电构件，其包括：基体；弹性层；和表面层，

其中：

所述表面层包含具有Si-O-Hf键的高分子化合物；和

所述高分子化合物具有由下式(1)表示的结构单元和由下式(2)表示的结构单元：

式(1)

式(2)

HfO_4/2

其中，式(1)中，R₁和R₂各自独立地表示由式(3)至(6)表示的结构的任一种：

其中，式(3)至(6)中，R₃至R₇、R₁₀至R₁₄、R₁₉、R₂₀、R₂₅和R₂₆各自独立地表示氢原子、具有1至4个碳原子的烷基、羟基、羧基或氨基；R₈、R₉、R₁₅至R₁₈、R₂₃、R₂₄和R₂₉至R₃₂各自独立地表示氢原子或具有1至4个碳原子的烷基；R₂₁、R₂₂、R₂₇和R₂₈各自独立地表示氢原子、具有1至4个碳原子的烷氧基或具有1至4个碳原子的烷基；n、m、l、q、s和t各自独立地表示1至8的整数，p和r各自独立地表示4至12的整数，x和y各自独立地表示0或1；星号*表示与式(1)中的硅原子的键合位置，和双星号**表示与式(1)中的氧原子的键合位置。

2.根据权利要求1所述的充电构件，其中式(1)中的R₁和R₂为由式(7)至(10)表示的结构的任一种：

其中，N、M、L、Q、S和T各自独立地表示1至8的整数；x'和y'各自独立地表示0或1；星号*表示与式(1)中的硅原子的键合位置，和双星号**表示与式(1)中的氧原子的键合位置。

3.根据权利要求1或2所述的充电构件，其中，在所述高分子化合物中，铪的原子数与硅的原子数之比，Hf/Si，为0.1以上且5.0以下。