[发明专利]用于微电子组装件的聚合物组合物

权利要求书

1.一种聚合物组合物，它包括;

含分子量(M_w)为5,000-200,000的聚碳酸酯的牺牲聚合物；

载体溶剂；和

热致产酸剂/助熔剂(TAG/FLAG)。

2.权利要求1的聚合物组合物，其中TAG/FLAG选自二(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟苯基)硼酸盐，二甲基苯胺阳离子四(五氟苯基(硼酸盐),吡啶鎓三氟甲磺酸盐或其混合物。

3.权利要求2的聚合物组合物，其中TAG/FLAG另外选自4-异丙基-4′-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐，二(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟甲磺酸盐或其混合物。

4.权利要求3的聚合物组合物，其中TAG/FLAG另外选自(2-(4-甲氧基萘-l-基)-2-氧代乙基)二甲基锍四(五氟苯基)硼酸盐),对-甲氧基苄基二甲基苯胺阳离子三氟甲磺酸盐或其混合物。

5.权利要求1的聚合物组合物，进一步包括甲酸。

6.权利要求1的聚合物组合物，其中牺牲聚合物选自聚(碳酸亚丙酯)或由立体有择降冰片烷二醇和/或二甲醇单体形成的聚合物。

7.权利要求6的聚合物组合物，其中由立体有择降冰片烷二醇和/或二甲醇单体形成的牺牲聚合物是聚(顺式-外-2,3-聚降冰片烷二甲基碳酸酯)。

8.权利要求6的聚合物组合物，其中牺牲聚合物包括碳酸亚丙酯重复单元和降冰片烷二醇或降冰片烷二甲醇重复单元。

9.权利要求1的聚合物组合物，其中TAG/FLAG占组合物的1.0-10.0pphr，基于存在的聚合物的总重量。

10.权利要求1的聚合物组合物，其中TAG/FLAG占组合物的2.5-8.0pphr，基于存在的聚合物的总重量。

11.权利要求1的聚合物组合物，其中TAG/FLAG占组合物的3.9-5.0pphr，基于存在的聚合物的总重量。

12.权利要求5的聚合物组合物，其中甲酸占组合物的0.5-10.0pphr，基于聚合物组合物的总重量。

13.权利要求1的聚合物组合物，其中载体溶剂选自丙酮，GBL，茴香醚或其混合物。

14.权利要求13的聚合物组合物，其中载体溶剂进一步选自环己酮，环戊酮，Ν,Ν-二甲基乙酰胺，N,N-二甲基甲酰胺或其混合物。

15.一种聚合物组合物，它包括：

含分子量(M_w)为40,000-160,000的聚碳酸酯的牺牲聚合物；

载体溶剂；

选自下述中的热致产酸剂/助熔剂(TAG/FLAG)：二(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟苯基)硼酸盐，二甲基苯胺阳离子四(五氟苯基(硼酸盐),吡啶鎓三氟甲磺酸盐或其混合物，其中TAG占组合物的2.5-8.0pphr，基于存在的聚合物的总重量；和

其中所述聚合物组合物提供助熔活性。

16.权利要求15的聚合物组合物，其中TAG占组合物的3.9-5.0pphr，基于存在的聚合物的总重量。

17.权利要求15的聚合物组合物，其中牺牲聚合物选自聚(碳酸亚丙酯)或由立体有择降冰片烷二醇和/或二甲醇单体形成的聚合物。

18.权利要求17的聚合物组合物，其中由立体有择降冰片烷二醇和/或二甲醇单体形成的牺牲聚合物是聚(反式-外-2,3-聚降冰片烷二甲基碳酸酯)。

19.权利要求17的聚合物组合物，其中牺牲聚合物包括碳酸亚丙酯重复单元和降冰片烷二醇或降冰片烷二甲醇重复单元。

20.形成牺牲层的方法，该方法包括：

形成含分子量(M_w)为5,000-200,000的聚碳酸酯，TAG/FLAG，和载体溶剂的牺牲聚合物溶液；

在基底上铸塑该溶液；和加热这一基底，基本上蒸发所有这些铸塑溶剂。

21.权利要求20的方法，其中载体溶剂选自丙酮，GBL，茴香醚或其混合物。