[发明专利]具有静态弯曲部的斜坡堆栈芯片封装有效

专利信息
申请号: 201180042191.2 申请日: 2011-08-04
公开(公告)号: CN103403865A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: J·A·哈拉达;D·C·道格拉斯;R·J·德罗斯特 申请(专利权)人: 甲骨文国际公司
主分类号: H01L23/52 分类号: H01L23/52
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李晓芳
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 静态 弯曲 斜坡 堆栈 芯片 封装
【权利要求书】:

1.一种芯片封装,包括:

在垂直方向上布置在垂直堆栈中的一组半导体管芯,所述垂直方向基本上垂直于所述垂直堆栈中的第一个半导体管芯,其中在所述第一个半导体管芯之后的每个半导体管芯与所述垂直堆栈中的紧接之前的半导体管芯在水平方向偏移一偏移值,从而定义所述垂直堆栈的一侧处的阶梯式的阶地;和

斜坡组件,电学地并且刚性地机械地耦合到所述半导体管芯,其中所述斜坡组件被放置在所述垂直堆栈的所述一侧上,

其中所述斜坡组件大致平行于沿着阶梯式的阶地的方向,所述方向在水平方向和垂直方向之间,和

其中所述半导体管芯的每一个包括静态弯曲部,以使得所述半导体管芯的每一个的末端片段平行于沿着所述阶梯式的阶地的方向并且机械地耦合到所述斜坡组件。

2.根据权利要求1所述的芯片封装,其中与所述弯曲部相关联的半导体管芯的每一个中的应力小于所述半导体管芯的屈服强度。

3.根据权利要求1所述的芯片封装,其中定义半导体管芯的每一个的厚度以使得半导体管芯的每一个具有便于所述弯曲部的弯曲力矩。

4.根据权利要求1所述的芯片封装,其中所述斜坡组件被焊接到半导体管芯的每一个。

5.根据权利要求1所述的芯片封装,其中所述斜坡组件通过微弹簧电学地耦合到半导体管芯的每一个的末端片段。

6.根据权利要求1所述的芯片封装,其中所述斜坡组件通过焊料电学地耦合到半导体管芯的每一个的末端片段。

7.根据权利要求1所述的芯片封装,其中所述斜坡组件通过各向异性的导电膜电学地耦合到半导体管芯的每一个的末端片段。

8.根据权利要求1所述的芯片封装,其中所述斜坡组件包括:

光学波导,被配置为沿着平行于所述阶梯式的阶地的方向传送光学信号;和

一组光学耦合元件,其中所述一组光学耦合元件中的给定光学耦合元件被配置为将光学信号光学地耦合到所述一组半导体管芯中的给定半导体管芯的末端片段。

9.根据权利要求8所述的芯片封装,其中所述一组光学耦合元件中的光学耦合元件包括光电转换器。

10.根据权利要求1所述的芯片封装,其中,所述斜坡组件被配置为使用电容地耦合的接近通信来在斜坡组件和半导体管芯的每一个的末端片段之间电学地耦合电信号。

11.根据权利要求1所述的芯片封装,其中半导体管芯的每一个的末端片段的表面包括蚀刻坑;

其中,对于半导体管芯中的每个蚀刻坑,所述斜坡组件包括对应的蚀刻坑;和

其中所述芯片封装还包括一组球,其中所述一组球中的给定球机械地耦合末端片段的表面中的蚀刻坑和斜坡组件中的对应的蚀刻坑。

12.一种电子计算设备,包括芯片封装,其中所述芯片封装包括:

在垂直方向上布置在垂直堆栈中的一组半导体管芯,所述垂直方向基本上垂直于所述垂直堆栈中的第一个半导体管芯,其中在所述第一个半导体管芯之后的每个半导体管芯与所述垂直堆栈中的紧接之前的半导体管芯在水平方向偏移一偏移值,从而定义所述垂直堆栈的一侧处的阶梯式的阶地;和

斜坡组件,电学地并且刚性地机械地耦合到所述半导体管芯,其中所述斜坡组件被放置在所述垂直堆栈的所述一侧上,

其中所述斜坡组件大致平行于沿着阶梯式的阶地的方向,所述方向在水平方向和垂直方向之间,以及

其中所述半导体管芯的每一个包括静态弯曲部,以使得所述半导体管芯的每一个的末端片段平行于沿着所述阶梯式的阶地的方向并且机械地耦合到所述斜坡组件。

13.根据权利要求12所述的电子计算设备,其中与所述弯曲部相关联的半导体管芯的每一个中的应力小于所述半导体管芯的屈服强度。

14.根据权利要求12所述的电子计算设备,其中定义半导体管芯的每一个的厚度以使得半导体管芯的每一个具有便于所述弯曲部的弯曲力矩。

15.根据权利要求12所述的电子计算设备,其中所述斜坡组件被焊接到半导体管芯的每一个。

16.根据权利要求12所述的电子计算设备,其中所述斜坡组件通过微弹簧、焊料和各向异性的导电膜中的一个电学地耦合到半导体管芯的每一个的末端片段。

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