[发明专利]使用了微透镜阵列的扫描曝光装置

说明书

技术领域

本发明涉及利用二维地排列有微透镜的微透镜阵列在基板上对掩模图案进行曝光的使用了微透镜阵列的扫描曝光装置。

背景技术

数次对形成在薄膜晶体管液晶基板和滤色器（color filter）基板等玻璃基板上的抗蚀剂膜等进行重叠曝光，形成规定的图案。这些被曝光基板在该膜形成过程中有时会进行伸缩，重叠曝光的下层图案有时会根据制造条件（曝光装置特性和温度条件）而与设计上的间距不同。在这样的重叠曝光中，当产生曝光位置的间距变化时，不得不在曝光装置侧进行倍率校正来吸收该间距变化。即，在产生被曝光基板尺寸的变动的情况下，需要通过按间距偏离了的量调整像的倍率，从而将该像配置于变动后的间距的基板上的规定位置的中央。

另一方面，近来，提出了一种使用了将微透镜二维地进行配置的微透镜阵列的扫描曝光装置（专利文献1）。在该扫描曝光装置中，在一个方向上排列多个微透镜阵列，并在与该排列方向垂直的方向上使基板和掩模相对于微透镜阵列和曝光光源相对地移动，从而曝光光线对掩模进行扫描，使形成于掩模的孔的曝光图案在基板上成像。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007–3829。

发明内容

发明要解决的课题

可是，在该以往的扫描曝光装置中，存在以下所示的问题。在使用了将一般的透镜组合起来使用的投影光学系统的曝光装置中，通过调整透镜的间隔等，从而容易调整倍率。可是，在微透镜的情况下，在厚度例如为4mm的板中，在光轴方向上配置8个透镜，由此使正立等倍像在基板上成像，因此不能调整倍率。因此，在使用了微透镜阵列的扫描曝光装置中，存在不能应对被曝光基板的间距变更的问题。

本发明的目的在于，提供一种使用了微透镜阵列的扫描曝光装置，即使起因于曝光装置特性和温度条件等制造条件的变动而使得被曝光基板的大小产生变动，也能够使掩模图案的像对准规定位置。

用于解决课题的方案

本发明提供一种使用了微透镜阵列的扫描曝光装置，其特征在于，具有：多个微透镜阵列，配置在要曝光的基板的上方，二维地配置有微透镜；掩模，配置在该微透镜阵列的上方，形成有规定的曝光图案；曝光光源，对该掩模照射曝光光线；以及移动装置，使所述微透镜阵列与所述基板以及所述掩模在一个方向上相对地移动，所述多个微透镜阵列在支承基板上配置在与所述一个方向垂直的方向上，各微透镜阵列以能够关于其配置方向从平行于被曝光基板的方向相对于所述支承基板倾斜的方式被支承。

此外，所述微透镜阵列能够构成为其倾斜角度关于所述配置方向逐渐变大或变小。

进而，优选的是，所述微透镜阵列在所述一个方向上配置成2队，各微透镜阵列在所述支承基板上交错地配置。但是，微透镜阵列不一定需要交错地配置。

进而此外，例如，所述微透镜将所述掩模的曝光图案的正立等倍像投影到所述基板上。

进而此外，所述微透镜阵列的倾斜角度的调整能够以如下方式进行：预先测定已经形成于所述被曝光基板的下层图案的总间距，使曝光图案的间距与该下层图案的总间距一致。

发明效果

根据本发明，在使用了微透镜阵列的曝光装置中，通过使多个微透镜阵列的倾斜角度相互不同，从而能够拟似性地且容易地变更在微透镜中透射了的正立等倍率的像的倍率，并且能够提高在重叠曝光中的曝光位置的尺寸精度。

附图说明

图1是表示本发明实施方式的曝光装置的1个微透镜阵列的部分的纵剖面图。

图2是表示排列有多个该微透镜阵列的状态的立体图。

图3是表示微透镜的图。

图4（a）、（b）是表示其光阑的图。

图5是表示微透镜阵列的曝光区域的图。

图6是表示微透镜阵列彼此的关系的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式具体地进行说明。图1是表示本发明实施方式的曝光装置的1个微透镜阵列的部分的纵剖面图，图2是表示排列有多个该微透镜阵列的状态的立体图，图3是表示微透镜的图，图4（a）、（b）是表示其光阑的图，图5是表示微透镜阵列的曝光区域的图，图6是表示微透镜阵列彼此的关系的图。