[发明专利]闸流管随机存取存储器装置及方法

权利要求书

1.一种方法，其包含：

在第一类型半导体部分中形成沟道以形成“U”形部分；

在所述沟道内形成电介质材料；

在所述电介质材料上方形成控制线；

将第二类型掺杂剂植入到所述“U”形部分的两个顶部部分中以形成一对经植入区；及

在所述经植入区中的一者上方形成上部第一类型半导体部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一类型半导体部分为P掺杂的，且所述第二类型掺杂剂为N型掺杂剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中将第二类型掺杂剂植入到所述“U”形部分的两个顶部部分中包括重掺杂(N+)到所述“U”形部分的至少一个顶部部分中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述经植入区中的一者上方形成上部第一类型半导体部分包括在所述经植入区中的一者上方形成重掺杂(P+)部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括形成耦合到所述对经植入区中的另一者的第一传输线。

6.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括形成耦合到所述上部第一类型半导体部分的第二传输线。

7.根据权利要求6所述的方法，其中大致正交地形成所述第一及第二传输线。

8.根据权利要求6所述的方法，其中形成第二传输线包括形成第一类型半导体材料并在所述第一类型半导体材料上方形成金属帽材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第一类型半导体材料包括形成重掺杂(P+)材料。

10.一种方法，其包含：

在第一类型半导体部分下面形成通过电介质材料与其分离的导体区；

在所述第一类型半导体部分中形成沟道以形成“U”形部分；

在所述沟道内形成电介质材料；

在所述电介质材料上方形成控制线；

将第二类型掺杂剂植入到所述“U”形部分的两个顶部部分中以形成一对经植入区；及

在所述经植入区中的一者上方形成上部第一类型半导体部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成导体区包括形成金属区。

12.根据权利要求10所述的方法，其中在所述第一类型半导体部分下面形成通过电介质材料与其分离的所述导体区包括：

在第一类型半导体衬底上方形成电介质材料；

在所述电介质材料上方形成导体区；及

将所述导体区翻转并接合到第二衬底。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在所述第一类型半导体部分下面形成所述导体区进一步包括使用经植入标记来薄化所述经翻转第一类型半导体衬底。

14.根据权利要求12所述的方法，其中将所述导体区翻转并接合到第二衬底包括将所述导体区翻转并接合到硅衬底的经氧化表面材料。

15.根据权利要求12所述的方法，其中将所述导体区翻转并接合到第二衬底包括在所述导体区上方形成非晶硅材料，且将所述非晶硅材料翻转并接合到硅衬底的经氧化表面材料。

16.一种方法，其包含：

在第一衬底上形成两个垂直耦合的P-N结；

在所述两个垂直耦合的P-N结上方形成导体区；

翻转所述第一衬底，并将所述导体区接合到第二衬底的电介质材料；

在所述第一衬底的一部分的背侧上形成第三垂直耦合的P-N结；

在所述垂直耦合的P-N结中的两者之间形成控制线；

由所述导体区的一部分形成掩埋式传输线；及

在所述第三垂直耦合的P-N结的顶部上形成第二传输线。

17.根据权利要求16所述的方法，其中在第一衬底上形成两个垂直耦合的P-N结包括在P掺杂硅衬底上形成。

18.根据权利要求16所述的方法，其中在所述两个垂直耦合的P-N结上方形成导体区包括形成钛导体区。

19.根据权利要求16所述的方法，其中在所述两个垂直耦合的P-N结上方形成导体区包括形成钨导体区。