[发明专利]利用临时载体处理衬底有效
申请号: | 201180035979.0 | 申请日: | 2011-06-03 |
公开(公告)号: | CN103026482A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | J·瓦特 | 申请(专利权)人: | 造型逻辑有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L29/786 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 冯玉清 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 临时 载体 处理 衬底 | ||
1.一种方法,包括:利用一个或更多粘合元件将器件衬底固定到载体;在该器件衬底如此固定到该载体时在该器件衬底上形成电子元件;以及之后减小该一个或更多粘合元件中的至少一个的粘合强度以便于从该载体释放该衬底。
2.一种方法,包括:利用一个或更多粘合元件将衬底固定到载体;在该衬底如此固定到该载体时处理该衬底;以及之后减小该一个或更多粘合元件中的至少一个的粘合强度以便于从该载体释放该衬底,其中,该衬底利用粘合单元固定到该载体,该粘合单元包括支承在支承元件的相反两侧的粘合层;且包括优先减小在该衬底和该载体中的一个与该支承元件之间的粘合层的粘合强度,以及从该粘合单元移除该衬底和该载体中的所述一个而不从该粘合单元移除该衬底和该载体中的另一个。
3.如权利要求2所述的方法,包括:包括优先减小在该支承元件与该衬底之间的粘合层的粘合强度,以及从该粘合单元移除该衬底而不从该载体移除该粘合单元。
4.如权利要求3所述的方法,包括:之后减小在该支承元件与该载体之间的粘合层的粘合强度,以及从该载体移除该粘合单元。
5.如权利要求2至4中的任一项所述的方法,包括:通过将该粘合单元加热到第一温度,减小在该衬底和该载体中的所述一个与该支承元件之间的粘合层的粘合强度,以及通过将该粘合单元加热到比该第一温度更高的第二温度,减小在该衬底和该载体中的另外一个与该支承元件之间的粘合层的粘合强度。
6.如权利要求5所述的方法,其中,该第二温度比该第一温度高至少大约20摄氏度。
7.如权利要求6所述的方法,其中,该第二温度比该第一温度高至少大约40摄氏度。
8.如权利要求5至7中的任一项所述的方法,其中,该第一温度在85至95摄氏度的范围。
9.如权利要求5至8中的任一项所述的方法,其中,该第二温度在130至170摄氏度的范围。
10.如权利要求5至9中的任一项所述的方法,其中,该粘合层在加热之前表现出至少3牛顿/20mm的粘合强度。
11.如权利要求2至10中的任一项所述的方法,其中,处理该衬底包括在器件衬底上形成一个或更多电子元件。
12.如权利要求1或2所述的方法,包括:通过加热或者通过照射来减小所述粘合元件中的至少一个或者所述粘合层中的至少一个的粘合强度。
13.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,该衬底或器件衬底是柔性衬底,该载体是玻璃载体。
14.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,该衬底或器件衬底表现出大于每摄氏度膨胀约10ppm的热膨胀系数。
15.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,该衬底或器件衬底比该载体更柔性。
16.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,该衬底或器件衬底具有比该载体的热膨胀系数更大的热膨胀系数。
17.如前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,该衬底或器件衬底作为提供多个衬底或器件衬底的衬底或器件衬底材料片的一部分固定到该载体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于造型逻辑有限公司,未经造型逻辑有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180035979.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造