[发明专利]近红外反射膜、近红外反射膜的制造方法及近红外反射体有效

专利信息
申请号: 201180035575.1 申请日: 2011-07-07
公开(公告)号: CN103003729A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 当间恭雄;荒井健夫;中岛彰久;久光聪史;铃木伸一 申请(专利权)人: 柯尼卡美能达控股株式会社
主分类号: G02B5/28 分类号: G02B5/28;B32B7/02;B32B27/18;G02B5/08;G02B5/26
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 红外 反射 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种近红外反射膜,其在基体材料上具有至少1个由高折射率层和低折射率层构成的单元,相邻的该高折射率层和该低折射率层的折射率差为0.1以上,其中,该高折射率层含有1)体积平均粒径100nm以下的金红石型氧化钛、2)水溶性高分子及3)选自下述化合物组中的至少1种化合物A,

化合物组:含羧基化合物、异羟肟酸类、吡啶衍生物。

2.根据权利要求1所述的近红外反射膜,其中,所述化合物A具有下述通式(1)或(2)所示的部分结构,

[化学式1]

3.根据权利要求1或2所述的近红外反射膜,其中,所述化合物A为下述通式(3)所示的化合物,

[化学式2]

通式(3)

式中,Z表示碳原子、与碳原子一同形成5元环或6元环所需要的原子组;M表示氢原子、碱金属原子或铵基,R1表示氢原子、卤原子、烷基、芳基、烷基羧酰胺基、芳基羧酰胺基、烷基磺酰胺基、芳基磺酰胺基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基、烷基氨基甲酰基、芳基氨基甲酰基、氨基甲酰基、烷基氨磺酰基、芳基氨磺酰基、氨磺酰基、氰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基羰基、芳基羰基、酰氧基、羧基、羰基、磺酰基、氨基、羟基或杂环基;n表示0~4的整数。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的近红外反射膜,其中,所述水溶性高分子为选自具有反应性官能团的聚合物、下述通式(4)所示的多价金属聚合物、增粘多糖类及明胶中的至少1种,

通式(4)

(M1(O)l(OR1)m(OR2)n(X)i(Y)j)k

式中,i及j各自为0或1,k为2以上的整数,l、m、n各自为0~2的整数,l+m+n=2;M1表示铝原子、锆原子或铪原子;R1及R2各自表示烷基、酰基或氢原子,可以相同或不同;X及Y各自表示OH、卤原子、NO3、SO4、CO3、R3COO或H2O,R3表示烷基或氢原子。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的近红外反射膜,其中,所述水溶性高分子为明胶,所述近红外反射膜中,

相对于所述高折射率层的总质量含有:1)15质量%以上且45质量%以下的平均分子量为3万以下的低分子量明胶或胶原肽,

相对于所述高折射率层的总质量含有2)15质量%以上且40质量%以下的平均分子量为10万以上的高分子量明胶。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的近红外反射膜,其中,所述高折射率层是使用下述高折射率层涂布液而形成的,所述高折射率层涂布液包含:水系溶胶、作为所述化合物A的等电点为6.5以下的氨基酸类、和所述水溶性高分子,

所述水系溶胶含有所述体积平均粒径100nm以下的金红石型氧化钛,pH为1.0以上且3.0以下,且ζ-电位为正。

7.一种近红外反射膜的制造方法,其制造在基体材料上形成至少1个由高折射率层和低折射率层构成的单元、相邻的该高折射率层和该低折射率层的折射率差设为0.1以上的近红外反射膜,其中,该高折射率层是使用含有1)体积平均粒径100nm以下的金红石型氧化钛、2)水溶性高分子、及3)选自下述化合物组中的至少1种化合物A的高折射率层涂布液而形成的,

化合物组:含羧基化合物、异羟肟酸类、吡啶衍生物。

8.根据权利要求7所述的近红外反射膜的制造方法,其中,相对于高折射率层的总质量,所述高折射率层涂布液含有1)15质量%以上且45质量%以下的平均分子量为3万以下的低分子量明胶或胶原肽及2)15质量%以上且40质量%以下的平均分子量为10万以上的高分子量明胶作为水溶性高分子。

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