[发明专利]用于半导体芯片的具有防焊剂蠕流的焊剂阻挡部的承载装置、具有承载装置的电子器件和具有承载装置的光电子器件

权利要求书

1.用于半导体芯片（3）的承载装置，所述承载装置具有能键合的和/或能焊接的金属载体（1），所述金属载体具有用于所述半导体芯片（3）的装配区域（21）和焊接区域（20），其中，所述载体（1）至少部分地由覆盖材料（2）覆盖，并且其中，在所述焊接区域（20）和所述装配区域（21）之间，在所述载体（1）和所述覆盖材料（2）之间的分界面（10）上设置有焊剂阻挡部（4）。

2.根据权利要求1所述的承载装置，其中，所述焊剂阻挡部（4）在具有所述装配区域（21）的表面上横向于从所述焊接区域（20）到所述装配区域（21）的延伸方向在整个所述表面上延伸。

3.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，除了所述焊接区域（20）以外，或除了所述焊接区域（20）和所述装配区域（21）以外，所述覆盖材料（2）包围所述载体（1）。

4.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述承载装置具有至少另一能键合的和/或能焊接的金属载体（1’），所述金属载体至少部分地由所述覆盖材料（2）覆盖，其中，在所述另一载体（1’）和所述覆盖材料（2）之间的另一分界面（10’）上设置有另一焊剂阻挡部（4’）。

5.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述载体（1）是导线框架或导线框架的至少一部分。

6.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述载体（1）具有铜或铜合金。

7.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述载体（1）至少在所述分界面（10）上具有覆层（11），所述覆层具有对于焊剂的高的润湿性。

8.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述覆层（11）具有带有一种或多种材料的层序列和/或合金，所述材料选自镍、钯和金。

9.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述焊剂阻挡部（4）具有与所述载体（1）相比由焊剂润湿性更小的材料。

10.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述焊剂阻挡部（4）具有凹陷部。

11.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述焊剂阻挡部（4）具有能在焊剂中溶解的材料。

12.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述材料与所述焊剂构成合金，所述合金在所述分界面（10）上具有与所述焊剂相比更小的蠕流速度。

13.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述覆盖材料（2）具有环氧化物或硅酮或硅酮-环氧化物杂化材料。

14.电子器件，具有根据权利要求1至13之一所述的承载装置和在所述承载装置上的半导体芯片（3）。

15.光电子器件，具有根据权利要求1至13之一所述的承载装置和在所述承载装置上的光电半导体芯片（3），其中所述覆盖材料（2）作为壳体本体被模制到所述载体（1）上，并且所述光电半导体芯片（3）设置在所述壳体本体中。