[发明专利]磁自旋移位寄存器存储器

权利要求书

1.一种用于形成存储器器件的方法，所述方法包括：

在衬底中形成具有波动轮廓的内表面的腔；

在所述腔中沉积铁磁材料；

在所述衬底上邻近所述铁磁材料的一部分形成读取元件；以及

在所述衬底上邻近所述铁磁材料的第二部分形成写入元件。

2.根据权利要求1的方法，其中通过操作为在所述腔中形成所述波动轮廓内表面的各向同性蚀刻和钝化聚合物沉积方法形成所述腔。

3.根据权利要求1的方法，其中所述腔的所述波动轮廓包括肋部分，所述肋部分操作为限定在所述铁磁材料中限定磁畴的畴壁。

4.根据权利要求1的方法，其中所述铁磁材料限定在所述铁磁材料中的移位寄存器。

5.根据权利要求2的方法，其中所述各向同性蚀刻和钝化聚合物沉积方法包括多个循环，每个循环包括：将1800瓦特施加到等离子体源；将110瓦特施加到所述衬底；通过固定泵抽速度控制的约65毫托的等价室压力；以及将所述衬底暴露到300标准立方厘米每分（sccm）的SF₆的流量7秒钟。

6.根据权利要求5的方法，其中所述多个循环包括在将所述衬底暴露到所述SF₆的流量之后，在-10℃下将所述衬底暴露到150sccm的C₄F₈的流量中2秒钟。

7.根据权利要求1的方法，其中所述衬底包括硅材料。

8.根据权利要求1的方法，其中由低温蚀刻方法形成所述腔。

9.一种存储器器件，包括：

移位寄存器，包括设置在具有波动内表面轮廓的腔中的铁磁材料；

读取元件，设置为邻近所述移位寄存器的一部分；以及

写入元件，设置为邻近所述移位寄存器的第二部分。

10.根据权利要求9的器件，其中所述腔的所述波动内表面轮廓限定在所述铁磁材料中限定磁畴的畴壁。

11.根据权利要求9的器件，其中所述波动内表面轮廓包括肋部分。

12.根据权利要求9的器件，其中所述波动内表面轮廓是圆齿形状的。

13.根据权利要求9的器件，其中所述移位寄存器操作为存储数据。

14.一种用于形成存储器器件的方法，所述方法包括：

使用各向同性蚀刻和钝化聚合物沉积方法在衬底中形成具有肋部分的第一腔；

在所述腔中沉积铁磁材料，所述铁磁材料包括部分通过所述腔的所述波动轮廓限定的磁畴；

邻近所述铁磁材料的一部分形成读取元件。

15.根据权利要求14的方法，其中所述方法还包括邻近所述铁磁材料的第二部分形成写入元件。

16.根据权利要求14的方法，其中所述各向同性蚀刻和钝化聚合物沉积方法包括多个循环，每个循环包括：将1800瓦特施加到等离子体源；将110瓦特施加到所述衬底；通过固定泵抽速度控制的约65毫托的等价室压力；以及将所述衬底暴露到300标准立方厘米每分（sccm）的SF₆的流量7秒钟。

17.根据权利要求16的方法，其中所述多个循环包括在将所述衬底暴露到所述SF₆的流量之后，在-10℃下将所述衬底暴露到150sccm的C₄F₈的流量中2秒钟。

18.根据权利要求16的方法，其中由低温蚀刻方法形成所述腔。

19.根据权利要求16的方法，其中通过所述腔的内表面的弯曲表面的相交部分限定所述肋部分。

20.根据权利要求16的方法，其中所述肋部分在所述铁磁材料中限定畴壁。