[发明专利]用于堆叠的芯片组件的芯片焊盘和Z-互连之间的电接触点

权利要求书

1.一种用于晶片级加工中在芯片焊盘上形成接触点的方法，包括：在芯片焊盘上形成可固化的导电材料的焊点并延伸越过互连芯片边缘；固化所述导电材料；以及在随后的晶片切割过程中切断所述焊点。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述焊盘上形成所述导电材料的焊点之前，形成保形电绝缘涂层，以及在所述保形涂层中形成开口以暴露被选择的芯片的表面。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括在固化所述导电材料之后，形成第二保形电绝缘涂层。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括在所述第二涂层中形成开口以暴露被选择的固化焊点的表面。

5.一种用于制备用于堆叠和电连接的芯片的方法，包括：沿着第一锯道执行第一晶片切割过程，形成限定互连芯片边缘的通道；在芯片焊盘上形成可固化的导电材料的焊点并延伸越过互连芯片边缘；固化所述导电材料；以及在随后的第二晶片切割过程中切断所述焊点。

6.一种用于制备用于堆叠和电连接的芯片的方法，包括：在芯片焊盘上形成可固化的导电材料的焊点并延伸越过第一锯道；以及在第一晶片切割过程中，沿着所述第一锯道切断所述焊点并形成限定互连芯片边缘的通道。

7.根据权利要求5所述的方法，进一步包括在实施所述第一晶片切割过程之前，减薄所述晶片。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括执行单个的保形介质涂布过程。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括执行两个保形介质涂布过程。

10.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二晶片切割过程比所述第一晶片切割过程形成更窄的通道。

11.根据权利要求5所述的方法，进一步包括在实施所述第一晶片切割过程之后减薄所述晶片。

12.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一晶片切割过程被执行至比最终的芯片厚度大但比全晶片厚度小的深度，形成互连侧壁。

13.根据权利要求5所述的方法，其中在沉积聚对二甲苯的第二涂层之后应用加热过程，所述加热过程足以提供DAF临时粘性。

14.一种半导体芯片，包括：正面、背面以及在所述正面限定芯片边缘的侧壁，至少一个芯片边缘包括：互连边缘、在与互连边缘相邻的互连边沿中的芯片焊盘、与所述芯片焊盘电连接并朝向所述互连边缘延伸的接触点、以及在所述接触点上并在其中具有开口以暴露用于Z-互连的接触点的区域的介质薄膜。

15.根据权利要求14所述的半导体芯片，其中所述接触点包括可固化的导电材料。

16.根据权利要求14所述的半导体芯片，其中所述接触点包括与所述芯片焊盘接触且朝向所述互连边缘延伸的金属轨迹，所述金属轨迹直接形成在下垫面上。

17.一种堆叠的芯片组件，包括多个如权利要求14所述的芯片，所述多个芯片彼此堆叠并通过Z-互连而电互连，其中Z-互连将第一所述芯片上的接触点与至少第二所述芯片上的接触点相接触。

18.根据权利要求17所述的堆叠的芯片组件，为交错堆叠配置。

19.根据权利要求17所述的堆叠的芯片组件，为金字塔堆叠配置。

20.一种堆叠的芯片封装，包括多个如权利要求14所述的芯片，所述多个芯片彼此堆叠并被安装在封装衬底的表面上且通过Z-互连与所述衬底中的电路电连接，其中所述Z-互连将至少第一所述芯片上的接触点与所述衬底上的键合焊盘相接触。