[发明专利]在基板处理系统中使用的窗组件

说明书

技术领域

本发明的实施例大体上涉及基板处理系统，尤其涉及在基板处理系统中使用的窗组件。

背景技术

窗可设置在基板处理腔室的壁中，以使来自光源的辐射能量进入处理腔室的处理空间。在一些应用中，可在被构造成用于在低压（例如低于大气压）下外延沉积的系统中利用窗。不幸的是，发明人已发现在大压力差存在于处理空间的内部与外部之间（例如，处理腔室之外的大气压力与处理腔室内的低压之间）时诸如平的、单片石英或类似物这样的传统的窗会表现不佳。发明人还发现传统的窗可能是从处理空间散失热量的一个原因，并且无法提供任何手段以调节窗温度或进入处理空间的辐射能量的方向和/或强度。

因此，发明人已提供一种改善的窗组件。

发明内容

本文提供了在基板处理系统中使用的设备。在一些实施例中，设备可包括一种在基板处理系统中使用的窗组件，所述窗组件包括：第一窗，所述第一窗对光能量至少部分透明；第二窗，所述第二窗对光能量透明并且实质上平行于所述第一窗；以及分隔件，所述分隔件被设置成与所述第一窗和所述第二窗的周边边缘接近，并且在所述第一窗与所述第二窗之间限定密封间隙，其中所述分隔件具有入口与出口，以使气体流过所述密封间隙。在一些实施例中，一个或多个支撑构件设置在所述密封间隙中，每一支撑构件在所述第一窗与所述第二窗之间延伸，以在所述第一窗与所述第二窗之间保持实质上一致的间隙距离。在一些实施例中，多个光调整构件设置在所述间隙中，以调整穿过所述光调整构件的光能量的一个或多个性质。下文描述了本发明的其它与进一步的实施例。

附图说明

参考附图所绘示的本发明说明性实施例，可理解上文简要总括及下文更详细论述的本发明的实施例。但应注意，附图仅绘示本发明的典型实施例，因本发明可允许其它同等有效的实施例，故不视为对本发明范围的限制。

图1描绘根据本发明一些实施例的基板处理系统的示意性侧视图。

图2A至图2C描绘根据本发明一些实施例的窗组件的顶部与侧剖面图。

图3A至图3C描绘根据本发明一些实施例的窗组件的顶部与侧剖面图。

图4描绘根据本发明一些实施例的窗组件的侧剖面图。

图5描绘根据本发明一些实施例的窗组件的侧剖面图。

为有助于理解，如可能则使用相同的参考标记指定附图中共有的相同组件。附图并未按比例绘制，并且可能为了清楚起见而简化。应考虑到，一个实施例中的组件及特征可有利地与其它实施例结合而无需附加描述。

具体实施方式

本文提供在基板处理系统中使用的窗组件。本发明的窗组件可有利地独立于设置有窗组件的处理腔室的处理空间的温度而提供温度的控制与可调节性。并且，本发明的窗组件可有利地提供穿过窗组件进入处理空间的辐射能量的方向和/或强度的控制与可调节性。

本文所公开的本发明的窗组件的实施例可设在适于执行外延硅沉积工艺的任何适当的半导体处理腔室中，诸如RP反应器，可从美国加州SantaClara的应用材料公司获得。下文参照图1描述一示例性处理腔室，描绘适合用于执行例如低压外延沉积工艺的半导体基板处理腔室100的示意性剖面图。图1中所描述的外延沉积处理腔室仅为说明性质，而在此公开的窗组件亦可用在其它处理腔室中。

作为说明，处理腔室100包括腔室主体110、支持系统130及控制器140，腔室主体110具有盖106，盖106具有设置于所述盖中的窗组件105。腔室主体100大体上包括上部102、下部104与外壳120。上部102设置在下部104上，并且包括盖106、夹箝环108、衬垫116、底板112、一个或多个上部灯136、一个或多个下部灯138以及上部高温计156。

盖106包括窗组件105。大体而言，窗组件105可包括第一窗107与第二窗109（二者实质上平行）以及分隔件111，分隔件111设置在第一窗107与第二窗109之间。分隔件111可被设置成与第一窗和第二窗的周边边缘接近，并且可在第一窗与第二窗之间限定密封间隙113。在一些实施例中，分隔件可具有对应于第一窗和第二窗的几何形状。例如，在一些实施例中，第一窗与第二窗可为圆形，而分隔件111可为环形。