[发明专利]在存储器装置及系统中确定及使用软数据有效
申请号: | 201180023555.2 | 申请日: | 2011-05-02 |
公开(公告)号: | CN102884585A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 威廉·H·拉德克;沈震雷;彼得·菲利 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 系统 确定 使用 数据 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
存储器单元阵列;及
控制电路,其耦合到所述阵列且经配置以:
使用若干个感测电压对所述存储器单元执行若干个感测操作以确定与所述存储器单元的目标状态相关联的软数据;及
至少部分地基于所述所确定的软数据来调整用以确定所述目标状态的感测电压。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述所确定的软数据指示与所述存储器单元相关联的若干个阈值电压在与所述目标状态相关联的阈值电压分布内的位置。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述控制电路经配置以:
使用第一感测电压对所述存储器单元执行第一感测操作以确定与所述存储器单元的所述目标状态相关联的软数据;及
如果对所述所确定的软数据执行的错误校正操作未导致失败,那么将用以确定所述目标状态的所述感测电压调整到所述第一感测电压。
4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中所述控制电路经配置以:
如果对所述所确定的软数据执行的所述错误校正操作导致失败,那么使用第二感测电压对所述存储器单元执行第二感测操作以确定与所述存储器单元的所述目标状态相关联的额外软数据;及
如果对所述所确定的额外软数据执行的错误校正操作未导致失败,那么将用以确定所述目标状态的所述感测电压调整到所述第二感测电压。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的存储器装置,其中所述控制电路经配置以存储所述所确定的软数据。
6.一种用于操作存储器装置的方法,其包括:
通过对若干个存储器单元执行若干个感测操作来确定与所述存储器单元的目标状态相关联的软数据,其中使用不同感测电压来执行每一感测操作;及
至少部分地基于所述所确定的软数据来调整用以确定所述目标状态的感测电压。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述所确定的软数据指示与所述存储器单元相关联的若干个阈值电压是否对应于所述目标状态的概率。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述所确定的软数据指示与所述存储器单元相关联的所述阈值电压是否对应于所述目标状态的强概率、中等概率及/或弱概率。
9.根据权利要求6到8中任一权利要求所述的方法,其中所述方法包含:
对所述所确定的软数据执行错误校正操作;及
至少部分地基于所述错误校正操作的结果来调整用以确定所述目标状态的所述感测电压。
10.根据权利要求6到8中任一权利要求所述的方法,其中所述方法包含使用所述经调整感测电压来确定所述存储器单元的状态。
11.根据权利要求6到8中任一权利要求所述的方法,其中所述方法包含:
在对与所述存储器单元的所确定的状态相关联的数据执行的错误校正操作的失败之前,通过执行所述感测操作来确定所述软数据;及
响应于所述错误校正操作的所述失败,至少部分地基于所述所确定的软数据来调整用以确定所述目标状态的所述感测电压。
12.根据权利要求6到8中任一权利要求所述的方法,其中所述方法包含响应于对与所述存储器单元的所确定的状态相关联的数据执行的错误校正操作的失败而对所述存储器单元执行所述若干个感测操作。
13.一种存储器装置,其包括:
存储器单元阵列;及
控制电路,其耦合到所述阵列且经配置以:
响应于对与所述存储器单元的所确定的状态相关联的数据执行的错误校正操作的失败,使用感测电压对所述存储器单元执行感测操作以确定与所述存储器单元的目标状态相关联的软数据;
对所述所确定的软数据执行错误校正操作;及
如果所述错误校正操作未导致失败,那么调整用以确定所述目标状态的感测电压。
14.根据权利要求13所述的存储器装置,其中所述控制电路经配置以:
如果所述错误校正操作导致失败,那么使用不同感测电压对所述存储器单元执行额外感测操作以确定与所述存储器单元的所述目标状态相关联的额外软数据;
对所述所确定的额外软数据执行额外错误校正操作;及
如果所述额外错误校正操作未导致失败,那么调整用以确定所述目标状态的所述感测电压。
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