[发明专利]元件搭载用基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及元件搭载用基板及其制造方法，特别是涉及耐硫化性优异的元件搭载用基板、及用于制造该元件搭载用基板的制造方法。

背景技术

近年来，伴随着电子设备的高密度安装化和处理速度的高速化，作为元件搭载用基板，普遍采用具有低介电常数且低布线电阻的优异特性的低温烧成陶瓷基板(LTCC基板)。此外，作为用于搭载发光二极管(LED)这样的发光元件的基板，正在研究能够满足耐候性、光获取效率、散热性等各特性的LTCC基板的应用。

LTCC基板是在比常用陶瓷基板的烧成温度低的800～1000℃左右的温度下烧成的基板，通过将由玻璃与陶瓷填料（例如氧化铝填料和氧化锆填料）形成的生片以规定的片数重叠、并通过热压接使其一体化后进行烧成来制造。

在这样的LTCC基板的表面，作为连接端子(电极)，形成有对以银或铜这样的导体金属为主体的糊料进行烧成而得的厚膜导体层。在厚膜导体层的表面形成有例如由镍镀膜和金镀膜层叠而成的镀敷层(镍/金镀层)来改善引线接合性、密合强度、耐候性等。通过形成这样的镀敷层，特别是可使耐硫化性提高，能够抑制因与空气中等的硫成分反应而产生的厚膜导体层的变色(例如参照专利文献1、2)。

然而，厚膜导体层通常具有5～15μm左右的厚度，在其上形成的镀敷层、特别是镍镀膜的厚度为5～15μm左右。但是，难以正确控制镍镀膜的厚度，有时会形成设想外的较厚的厚度。如果镍镀膜的厚度比通常厚、例如接近20μm，则厚膜导体层会受到过度的拉伸应力，厚膜导体层的端部有时会从LTCC基板剥离。如果产生这种剥离，则水分会侵入LTCC基板和厚膜导体层之间的间隙，厚膜导体层中的银沿着端部扩散到镀敷层的表面、特别是最外层表面的金镀膜上。

于是，在以这种状态置于硫化性环境中的情况下，扩散到最外层表面的金镀膜上的银被硫化，有引线接合性等降低之虞。此外，金镀膜的表面发黑而导致反射率降低，因此作为发光元件等的搭载用基板是欠佳的。

另外，为了在不损害引线接合性的情况下提高烧成时的尺寸精度，提出了以下的LTCC布线基板：即，在最外层具有Ag系导体糊料的印刷层（未烧成的厚膜导体层）的未烧成的低温烧成陶瓷基板的两面上，压接在烧成温度（800～1000℃）下不烧结的氧化铝生片（约束烧成用生片），在该状态下同时烧成基板和厚膜导体层后研磨除去氧化铝生片的残留物，在由此形成的厚膜导体层的粗糙表面上形成镀敷被膜的LTCC布线基板（例如参照专利文献3、4）。

但是，专利文献3、4中记载的LTCC布线基板是用约束烧成用的氧化铝生片夹持两面后加压的，因此难以将未烧成的厚膜导体层在整个厚度范围内压入未烧成的低温烧成陶瓷基板。所以，专利文献3、4的LTCC布线基板的厚膜导体层无法完全埋入低温烧成陶瓷基板内，不能充分防止因镀敷膜的应力引起的厚膜导体层端部的剥离，耐硫化性不足。此外，厚膜导体层的表面因约束烧成用生片残留物的除去而处于粗糙状态，因此存在镀敷处理后引线接合性等低劣的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本实用新型实公平2-36278号公报

专利文献2:日本专利特开2002-314230号公报

专利文献3:日本专利第4123278号公报

专利文献4:日本专利特开2008-235911号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

本发明是为了解决上述技术问题而完成的发明，以提供一种厚膜导体层端部的剥离得到防止、耐硫化性优异的元件搭载用基板为目的。本发明还以提供得到这种耐硫化性优异的元件搭载用基板的制造方法为目的。

解决技术问题的技术方案

本发明的元件搭载用基板的特征在于，它具备：低温烧成陶瓷基板；形成于所述低温烧成陶瓷基板的至少一个主表面上的由以银为主体的金属形成的厚膜导体层，它具有平滑的表面，且以该表面和所述低温烧成陶瓷基板的所述主表面的高度大致相同的方式被埋入；和形成于该厚膜导体层上的导电性金属的镀敷层。

本发明的元件搭载用基板中，优选所述厚膜导体层的表面和所述低温烧成陶瓷基板的所述主表面之间的高度差在2μm以下。还优选镀敷层为镍－金镀层。