[发明专利]元件搭载用基板及其制造方法

权利要求书

1.元件搭载用基板，其特征在于，它具备：

低温烧成陶瓷基板；

形成于所述低温烧成陶瓷基板的至少一个主表面上的由以银为主体的金属形成的厚膜导体层，它具有平滑的表面，且以该表面和所述低温烧成陶瓷基板的所述主表面的高度大致相同的方式被埋入；和

形成于该厚膜导体层上的导电性金属的镀敷层。

2.如权利要求1所述的元件搭载用基板，其特征在于，所述厚膜导体层的表面和所述低温烧成陶瓷基板的所述主表面之间的高度差在2μm以下。

3.如权利要求1或2所述的元件搭载用基板，其特征在于，所述厚膜导体层具有0.3μm以下的表面粗糙度Ra。

4.如权利要求1～3中任一项所述的元件搭载用基板，其特征在于，所述镀敷层由镍层和其上的金镀层构成。

5.如权利要求1～4中任一项所述的元件搭载用基板，其特征在于，所述镀敷层具有5～40μm厚的镍镀层和0.1～1.0μm厚的金镀层。

6.如权利要求1～5中任一项所述的元件搭载用基板，其特征在于，所述厚膜导体层形成于低温烧成陶瓷基板的元件搭载面。

7.元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，它具备：

在由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物形成的未烧成基板的至少一个主表面上，形成由以银为主体的金属的糊料形成的未烧成厚膜导体层的工序；

在所述未烧成厚膜导体层上设置具有平滑按压面的加压板，介由该加压板对所述未烧成厚膜导体层朝厚度方向按压而将其压入所述未烧成基板，直到该未烧成厚膜导体层的表面和所述未烧成基板的所述主表面的高度大致相同的工序；

对压入所述未烧成厚膜导体层的所述未烧成基板与所述未烧成厚膜导体层一起进行加热·烧成的工序；和

在所述烧成的厚膜导体层的表面上形成由导电性金属形成的镀敷层的工序。

8.如权利要求7所述元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，所述玻璃陶瓷组合物包含30～50质量％的玻璃粉末、50～70质量％的陶瓷填料。

9.如权利要求7或8所述元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，所述以银为主体的金属为银、银和钯、或银和铂。

10.如权利要求7～9中任一项所述元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，所述加热·烧成工序是加热到500～600℃的温度、然后加热到800～1000℃的温度来进行烧成。

11.如权利要求7～10中任一项所述元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，所述形成镀敷层的工序是通过电镀形成镍镀层、于其上通过电镀形成金镀层。