[发明专利]用于装载衬底的方法和设备

说明书

相关应用的交叉引用

本申请要求于2010年4月23日递交的美国临时申请第61/327，160号的优先权，并在此通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及可以与光刻术一起使用的方法和设备。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。

在形成集成电路(或其他器件)时，需要在衬底上设置多层图案，这些图案组合起来形成集成电路的功能元件。所述图案必须彼此精确地对准，以便确保它们正确地组合在一起并由此形成功能元件。如果这些图案没有足够精确地对准，则功能元件将不会正确地形成，并且将不会工作。连续的图案通过光刻设备相对于彼此对准的精确度通常称为光刻设备的重叠。

为了在将图案投影到衬底上时实现期望的重叠，在图案的投影之前测量衬底上目标部分的位置。这个过程通常被称为对准。在某些情况下，使用与每个目标部分相关联的对准标记独立地测量每个目标部分的位置。这有时被称为局部对准。在其他情况下，测量围绕衬底分布的若干个对准标记的位置，并基于这些测量结果计算目标部分的位置。这有时被称为全局对准。

发明内容

如果衬底已经变形，则实现对准的精确度可能降低，因而引起光刻设备的重叠的恶化。在使用全局对准时尤其要注意由于衬底变形引起的重叠的这种恶化。

期望提供减小衬底变形的设备和方法。

根据本发明第一方面，提供一种方法，包括：将衬底装载到衬底台上然后移动衬底台使得，在衬底的参照系中衬底台以至少为重力加速度的10％的加速度向下加速，由此减小衬底和衬底台之间的摩擦使得衬底的变形可以至少部分地从衬底消除。

根据本发明的第二方面，提供一种设备，包括衬底台和定位装置，所述定位装置配置成移动衬底台，使得在衬底的参照系中，衬底台以至少为重力加速度的10％的加速度向下加速，由此减小衬底和衬底台之间的摩擦使得衬底的变形可以至少部分地从衬底消除。

附图说明

下面将仅以示例的方式、参考所附示意图描述本发明的不同方面的实施例，其中相应的附图标记表示相应的部件，其中：

图1示意地示出根据本发明一个实施例的光刻设备；

图2是光刻设备的更详细的示意图，其包括LPP源收集器模块SO；和

图3是光刻设备的定位装置和衬底台与衬底一起的放大的示意图。

具体实施方式

图1示意地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备100。所述设备包括：

照射系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如EUV辐射)。

支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；

衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和

投影系统(例如反射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。

术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案将与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。