[发明专利]用于包括光电装置的各种装置的支撑结构无效
| 申请号: | 201180015400.4 | 申请日: | 2011-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN102834912A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
| 发明(设计)人: | 何刚;T·J·格米特;M·阿彻 | 申请(专利权)人: | 阿尔塔设备公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 包括 光电 装置 各种 支撑 结构 | ||
相关申请
本申请要求对2010年1月22日提交、标题为″Laminated Metallic Support Films For Epitaxial Lift Off Stacks″的临时申请61/297,692(代理案号ALTA/0022L)和2010年1月22日提交、标题为″Methods For Forming Epitaxial Lift Off Stacks Containing Laminated Metallic Support Films″的临时申请61/297,702(代理案号ALTA/0022L02)的优先权,两份临时申请通过引用而结合于此。
技术领域
本发明的实施例通常涉及各种装置(例如包括光伏、光电、光学、半导体、电子薄膜器件等)的制造和使用,并且在一些实施例中更具体地涉及与装置关联的支撑结构的配置和制造。
背景技术
各种器件和电路经常在许多应用中用来实现有利结果。器件和电路可以用来增加在各种活动(例如发电、信息处理、通信等)中增加生产率并且减少成本。器件(例如包括光伏器件、太阳能转换器件、光电器件、光学器件、光子器件、机械器件、半导体器件、电子薄膜器件、其它薄膜器件等)可以包括薄的膜或层。制造和利用薄膜器件可能很复杂和棘手。
薄膜部件可能很难制造和操纵,因为膜通常很易碎并且具有窄尺度。制造过程和在制造之后的使用环境可能比较严酷和有害于薄膜器件的相对精微的特性和特征。薄膜可能很易受物理损坏(例如在很小的力之下破裂和断裂等)。薄膜器件可以包括在结构或者机械故障之前不允许大量或者任何变形的相对脆弱部件或者特性。这样的故障可能不利地影响薄膜部件的生产产量和现场使用有效性。
发明内容
当前实施例通常涉及用于薄膜部件的支撑结构和用于制造支撑结构的方法。在一个实施例中,一种装置包括:器件结构,包括器件的部分;以及支撑结构,耦合到器件结构;其中支撑结构补充器件结构的特征。支撑结构可以包括耦合到器件结构的金属部件。支撑结构可以包括耦合到金属部件的非金属部件。支撑部件可以补充器件结构的结构的和机械的完整性。支撑部件可以补充器件结构的功能操作。在一个实施例中,金属部件包括金属材料的至少一层。在一个实施例中,非金属部件包括非金属材料(例如聚合物材料等)的至少一层。在一个示例实施方式中,金属部件可以相对于器件结构具有更大刚度特性,并且非金属部件可以相对于金属层部件具有更大柔韧度特性。支撑结构可以被配置成朝着器件结构反射光。支撑结构也可以被配置成从器件结构导电。
附图说明
为了示例性地说明当前实施例的原理而包括并入于本说明书中并且形成本说明书一部分的附图,并且附图并非旨在于使本发明限于其中所示特定实施方式。除非另有具体指明,附图未按照比例。
图1A是根据本发明一个实施例的由牺牲层附着到生长衬底的示例装置的部分的框图。
图1B是根据本发明一个实施例的示例装置的部分的框图,在该装置中,支撑部件包括金属部件和非金属部件。
图1C是根据本发明一个实施例的在从生长衬底分离的过程中的示例装置的部分的框图。
图1D是根据本发明一个实施例的从生长衬底分离的示例装置的框图。
图1E是根据本发明一个实施例的示例薄膜装置制造方法的流程图。
图1F是根据本发明一个实施例的示例支撑结构形成过程的框图。
图2A是根据本发明一个实施例的装置的另一示例支撑结构的框图。
图2B是根据本发明一个实施例的从生长衬底分离的示例装置的部分的框图。
图3A是根据本发明一个实施例的装置的又一示例支撑结构的框图。
图3B是根据本发明一个实施例的从生长衬底分离的示例装置的部分的框图。
图3C是根据本发明一个实施例的具有电介质结构的示例装置的框图。
图4是图示了根据本发明一个实施例的可变厚度的支撑层的张力与应变之比的图形。
图5是图示了根据本发明一个实施例的可变厚度的支撑层的层叠与膜之比的图形。
图6是图示了根据本发明一个实施例的可变厚度的支撑层的应变与曲率之比的图形。
图7是图示了根据本发明一个实施例的可变厚度的支撑层的力矩与应变之比的图形。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





