[发明专利]用于包括光电装置的各种装置的支撑结构无效
| 申请号: | 201180015400.4 | 申请日: | 2011-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN102834912A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
| 发明(设计)人: | 何刚;T·J·格米特;M·阿彻 | 申请(专利权)人: | 阿尔塔设备公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 包括 光电 装置 各种 支撑 结构 | ||
1.一种装置,包括:
器件结构,包括电子器件的部分;
支撑结构,耦合到所述器件结构;其中所述支撑结构补充所述器件结构的特征,并且所述支撑结构包括:
金属部件,耦合到所述器件结构;以及
非金属部件,耦合到所述金属部件。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述支撑部件补充所述器件结构的结构的和机械的完整性。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述支撑部件补充所述器件结构的功能操作。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述金属部件包括金属材料的至少一层。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述非金属部件包括非金属材料的至少一层。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述非金属部件包括聚合物材料。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述金属部件相对于所述器件结构具有更大刚度特性。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述非金属部件相对于所述金属层部件具有更大柔韧度特性。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述支撑结构被配置成朝着所述器件结构反射光。
10.根据权利要求1所述的装置,其中所述支撑结构被配置成从所述器件结构导电。
11.一种薄膜装置制造方法,包括:
在生长衬底上添加牺牲层;
在所述牺牲层上沉积薄膜器件层;
执行支撑结构形成过程以在所述薄膜器件层上形成支撑结构,以及
去除所述牺牲层。
12.根据权利要求11所述的薄膜装置制造方法,其中所述支撑结构形成过程包括:
形成耦合到所述薄膜器件层的至少一个金属层;以及
形成耦合到所述金属层的至少一个非金属层。
13.根据权利要求12所述的薄膜装置制造方法,其中所述支撑结构形成过程还包括形成耦合到所述金属层和所述非金属层的至少一个粘合层。
14.根据权利要求11所述的薄膜装置制造方法,其中所述金属部件包括铜。
15.根据权利要求11所述的薄膜装置制造方法,其中所述金属部件包括镍。
16.根据权利要求11所述的薄膜装置制造方法,其中所述非金属部件包括聚合物材料。
17.根据权利要求11所述的薄膜装置制造方法,其中所述非金属部件包括共聚物材料。
18.根据权利要求11所述的薄膜装置制造方法,其中所述金属部件包括银材料。
19.根据权利要求11所述的薄膜装置制造方法,其中所述非金属部件包括低聚物材料。
20.一种薄膜支撑结构,包括:
金属部件,配置成增加薄膜器件结构的刚度,所述金属部件耦合到所述器件结构;
非金属部件,配置成增加所述薄膜器件结构的柔韧度;以及
粘合部件,配置成增强所述非金属部件到所述金属部件的耦合。
21.根据权利要求20所述的装置,其中所述支撑部件补充所述器件结构的结构的和机械的完整性。
22.根据权利要求20所述的装置,其中所述支撑部件补充所述器件结构的功能操作。
23.根据权利要求20所述的装置,其中所述金属部件包括金属材料的至少一层。
24.根据权利要求20所述的装置,其中所述非金属部件包括非金属材料的至少一层。
25.根据权利要求20所述的装置,还包括耦合到所述金属部件的至少一个电介质层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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