[发明专利]半导体密封用树脂组合物的制造方法以及粉碎装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体密封用树脂组合物的制造方法以及粉碎装置。

背景技术

已知利用树脂制密封材覆盖（密封）半导体芯片（半导体元件）而成的半导体封装物。该半导体封装物的密封材是将含有固化性树脂的树脂组合物例如利用传递成型等进行成型而得的。

然而，在上述树脂组合物的制造工序中包含将含多种粉末材料的树脂组合物（组合物）进行微细粉碎的粉碎（微粉碎）工序，该树脂组合物的粉碎例如用振动球磨机、连续式旋转球磨机、喷射式粉粹机等的气流式粉碎装置进行（例如，参照专利文献1）。

在这些粉碎装置中，出于在粉碎树脂组合物时能够防止（或抑制）向树脂组合物中混入金属制异物（金属异物）的观点，优选使用气流式粉碎装置。

然而，气流式粉碎装置存在粉碎时树脂组合物附着于粉碎装置的腔内而使收率下降这样的问题。此外，还存在粉碎时树脂组合物吸湿而使该树脂组合物的固化性等特性下降、成型性变差这样的问题。

专利文献1：日本特许第3856425号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种在粉碎时防止金属制异物混入的同时收率优异、具有良好的固化性的半导体密封用树脂组合物的制造方法以及粉碎装置。

为了实现上述目的，本发明的半导体密封用树脂组合物的制造方法的特征在于，所述半导体密封用树脂组合物的制造方法具有粉碎工序，所述粉碎工序使用气流式粉碎装置，在该粉碎装置的腔内，利用气体的旋转流而使含有固化性树脂的粉末材料以及无机填充材料的粉末材料的组合物进行旋转，粉碎该组合物，

在上述粉碎工序中，

将向上述腔内供给的上述气体的压力设为0.3MPa以上、

将向上述腔内供给的上述气体的温度设为20℃以下、

将向上述腔内供给的上述气体的湿度设为40%RH以下。

本发明的半导体密封用树脂组合物的制造方法中，优选上述组合物含有固化促进剂，

上述固化性树脂含有环氧树脂以及酚醛树脂系固化剂。

本发明的半导体密封用树脂组合物的制造方法中，优选在上述粉碎工序中被粉碎的上述组合物中的上述无机填充材料的含有率为50~80wt%。

本发明的半导体密封用树脂组合物的制造方法中，优选在上述粉碎工序之前混合上述组合物。

本发明的半导体密封用树脂组合物的制造方法中，优选通过将气体供给至上述腔内而使上述气体的旋转流产生，将供给至上述腔内的上述气体的量设为1Nm³/分钟以上。

本发明的半导体密封用树脂组合物的制造方法中，优选上述腔的内径的平均值为10~50cm。

本发明的半导体密封用树脂组合物的制造方法中，优选通过进行上述粉碎工序，使上述组合物的粒度分布为：粒径250μm以上为1wt%以下，粒径150μm以上且小于250μm为9wt%以下，粒径小于150μm为90wt%以上。

此外，为了实现上述目的，本发明的粉碎装置的特征在于，是利用气流使含有固化性树脂的粉末材料和无机填充材料的粉末材料的组合物旋转而粉碎该组合物的气流式粉碎装置，所述粉碎装置具有：

供给上述组合物的供给机构，

腔，

旋转流生成机构，使气体的旋转流在上述腔内产生，

压力调整机构，调整供给至上述腔内的上述气体的压力，

温度调整机构，调整供给至上述腔内的上述气体的温度，以及

湿度调整机构，调整供给至上述腔内的上述气体的湿度，

以如下方式构成：将向上述腔内供给的上述气体的压力设为0.3MPa以上，将向上述腔内供给的上述气体的温度设为20℃以下，将向上述腔内供给的上述气体的湿度设为40%RH以下，使气体的旋转流在上述腔内产生，使上述组合物旋转而粉碎该组合物。

本发明的粉碎装置中，优选上述旋转流生成机构具有沿上述腔的周向配置的、向上述腔内喷出上述气体的多个喷嘴。

本发明的粉碎装置中，优选上述压力调整机构是在上述气体被供给至上述腔内之前压缩该气体的装置。

本发明的粉碎装置中，优选上述温度调整机构是在上述气体被供给至上述腔内之前冷却该气体的装置。

本发明的粉碎装置中，优选上述湿度调整机构是在上述气体被供给至上述腔内之前使该气体干燥的装置。

本发明的粉碎装置中，优选在上述腔的底部设有排出被粉碎的上述组合物的出口和包围该出口的周围的壁部，以被粉碎的上述组合物越过上述壁部而从上述出口排出的方式构成。