[发明专利]半导体密封用树脂组合物的制造方法以及粉碎装置

权利要求书

1.一种半导体密封用树脂组合物的制造方法，其特征在于，所述半导体密封用树脂组合物的制造方法具有粉碎工序，所述粉碎工序使用气流式粉碎装置，在该粉碎装置的腔内，利用气体的旋转流而使含有固化性树脂的粉末材料和无机填充材料的粉末材料的组合物旋转，粉碎该组合物，

在所述粉碎工序中，

将向所述腔内供给的所述气体的压力设为0.3MPa以上，

将向所述腔内供给的所述气体的温度设为20℃以下，

将向所述腔内供给的所述气体的湿度设为40%RH以下。

2.如权利要求1所述的半导体密封用树脂组合物的制造方法，其中，所述组合物含有固化促进剂，

所述固化性树脂含有环氧树脂以及酚醛树脂系固化剂。

3.如权利要求1或2所述的半导体密封用树脂组合物的制造方法，其中，在所述粉碎工序中被粉碎的所述组合物中的所述无机填充材料的含有率为50~80wt%。

4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体密封用树脂组合物的制造方法，其中，在所述粉碎工序之前混合所述组合物。

5.如权利要求1~4中任一项所述的半导体密封用树脂组合物的制造方法，其中，通过将气体供给至所述腔内而使所述气体的旋转流产生，将向所述腔内供给的所述气体的量设为1Nm³/分钟以上。

6.如权利要求1~5中任一项所述的半导体密封用树脂组合物的制造方法，其中，所述腔的内径的平均值为10~50cm。

7.如权利要求1~6中任一项所述的半导体密封用树脂组合物的制造方法，其中，通过进行所述粉碎工序，使所述组合物的粒度分布为：粒径250μm以上为1wt%以下，粒径150μm以上且小于250μm为9wt%以下，粒径小于150μm为90wt%以上。

8.一种粉碎装置，其特征在于，是利用气流使含有固化性树脂的粉末材料和无机填充材料的粉末材料的组合物旋转而粉碎该组合物的气流式粉碎装置，所述粉碎装置具有：

供给所述组合物的供给机构，

腔，

旋转流生成机构，使气体的旋转流在所述腔内产生，

压力调整机构，调整供给至所述腔内的所述气体的压力，

温度调整机构，调整供给至所述腔内的所述气体的温度，以及

湿度调整机构，调整供给至所述腔内的所述气体的湿度，

以如下方式构成：将供给至所述腔内的所述气体的压力设为0.3MPa以上，将供给至所述腔内的所述气体的温度设为20℃以下，将供给至所述腔内的所述气体的湿度设为40%RH以下，使气体的旋转流在所述腔内产生，使所述组合物旋转而粉碎该组合物。

9.如权利要求8所述的粉碎装置，其中，所述旋转流生成机构具有沿所述腔的周向配置的、向所述腔内喷出所述气体的多个喷嘴。

10.如权利要求8或9所述的粉碎装置，其中，所述压力调整机构是在所述气体被供给至所述腔内之前压缩该气体的装置。

11.如权利要求8~10中任一项所述的粉碎装置，其中，所述温度调整机构是在所述气体被供给至所述腔内之前冷却该气体的装置。

12.如权利要求8~11中任一项所述的粉碎装置，其中，所述湿度调整机构是在所述气体被供给至所述腔内之前使该气体干燥的装置。

13.如权利要求8~12中任一项所述的粉碎装置，其中，在所述腔的底部设有排出被粉碎的所述组合物的出口和包围该出口的周围的壁部，

以被粉碎的所述组合物越过所述壁部而从所述出口排出的方式构成。

14.如权利要求8~13中任一项所述的粉碎装置，其中，所述供给机构具有向所述腔内供给所述组合物的供给口。

15.如权利要求14所述的粉碎装置，其中，所述供给口被设在偏离所述气体的旋转流的中心的位置。