[发明专利]二维阵列X射线检测器的检查方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种二维阵列X射线检测器的检查方法。

背景技术

作为在X射线摄影装置中使用的二维阵列X射线检测器，例如已知一种平板检测器(FPD)。该平板检测器具有如下结构：在将TFT等开关元件配置成二维阵列(矩阵)状的基板上蒸镀了a-Se(非晶硒)等转换膜。在该平板检测器中，当穿过被检体而形成的X射线图像被投影到转换膜上时，在转换膜内产生与图像的浓度成比例的电荷信号。利用被配置成二维阵列状的像素电极来收集该电荷信号，并蓄积到静电电容(capacitance)中。随着开关元件的动作读出静电电容所蓄积的电荷，并将该电荷作为电信号发送到图像处理部来进行图像处理(参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2008-301883号公报

发明内容

发明要解决的问题

在使用了这种a-Se等转换膜的二维阵列X射线检测器中，有时在制造过程中产生缺陷像素。在使用二维阵列X射线检测器的期间，这些缺陷像素中的部分缺陷像素的数量、尺寸急剧增长，短时间内会妨碍X射线摄影。这样，关于存在具有在短时间内急剧增长的增长性的缺陷像素的二维阵列X射线检测器，由于缺陷像素造成不能准确地进行X射线摄影，因此不能将该二维阵列X射线检测器用于X射线摄影装置等。

另一方面，并非所有的缺陷像素均是具有像这样地在短时间内急剧增长的增长性的缺陷像素。关于不具有增长性的缺陷像素，通过进行缺陷登记并对像素值进行插值，能够将具备这种缺陷像素的二维阵列X射线检测器用于X射线摄影。

因此，关于缺陷像素，需要判断其是急剧增长的缺陷像素还是尺寸不发生变化的缺陷像素，但是现状是，即使考虑二维阵列X射线检测器中的缺陷数量、缺陷尺寸等，也仍无法进行这种判断。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供如下一种二维阵列X射线检测器的检查方法：通过对具有在短时间内其尺寸变大的增长性的缺陷像素进行识别，能够识别不适合于X射线摄影的二维阵列X射线检测器。

用于解决问题的方案

发明1中记载的发明是一种二维阵列X射线检测器的检查方法，该二维阵列X射线检测器具备：转换膜，其感应X射线并输出与入射的X射线剂量相对应的电荷信号；共用电极，其形成在上述转换膜的表面，对上述转换膜施加偏置电压；多个像素电极，其在上述转换膜的与上述共用电极相反一侧的表面与像素相对应地配置成矩阵状；多个储能电容，其分别与各上述像素电极相连接并蓄积电荷信号；开关元件，其与上述像素电极相连接；栅极驱动器，其在读出信号时通过栅极总线使各开关元件依次导通；以及数据集成部，其通过数据总线读出各上述储能电容所蓄积的电荷信号，该二维阵列X射线检测器的检查方法包括以下步骤：偏置电压步骤，多次反复利用上述共用电极施加偏置电压和停止施加偏置电压；暗电流值测量步骤，对没有照射X射线的状态下的各像素的像素值进行测量；缺陷像素识别步骤，根据在上述暗电流值测量步骤中测量出的各像素的像素值来识别缺陷像素；以及判断步骤，根据在上述缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸来判断二维阵列X射线检测器是否合适。

发明2中记载的发明为，在发明1中记载的发明中，上述偏置电压步骤中的施加偏置电压的时间和停止施加偏置电压的时间是通过测量缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸随时间的变化来预先设定为上述转换膜的电荷状态稳定的期间的时间。

发明3中记载的发明是一种二维阵列X射线检测器的检查方法，该二维阵列X射线检测器具备：转换膜，其感应X射线并输出与入射的X射线剂量相对应的电荷信号；共用电极，其形成在上述转换膜的表面，对上述转换膜施加偏置电压；多个像素电极，其在上述转换膜的与上述共用电极相反一侧的表面与像素相对应地配置成矩阵状；多个储能电容，其分别与各上述像素电极相连接并蓄积电荷信号；开关元件，其与上述像素电极相连接；栅极驱动器，其在读出信号时通过栅极总线使各开关元件依次导通；以及数据集成部，其通过数据总线读出各上述储能电容所蓄积的电荷信号，该二维阵列X射线检测器的检查方法的特征在于，包括以下步骤：偏置电压步骤，多次反复利用上述共用电极施加偏置电压和施加反向偏置电压；暗电流值测量步骤，对没有照射X射线的状态下的各像素的像素值进行测量；缺陷像素识别步骤，根据在上述暗电流值测量步骤中测量出的各像素的像素值来识别缺陷像素；以及判断步骤，根据在上述缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸来判断二维阵列X射线检测器是否合适。