[发明专利]二维阵列X射线检测器的检查方法

权利要求书

1.一种二维阵列X射线检测器的检查方法，该二维阵列X射线检测器具备：

转换膜，其感应X射线并输出与入射的X射线剂量相对应的电荷信号；

共用电极，其形成在上述转换膜的表面，对上述转换膜施加偏置电压；

多个像素电极，其在上述转换膜的与上述共用电极相反一侧的表面与像素相对应地配置成矩阵状；

多个储能电容，其分别与各上述像素电极相连接并蓄积电荷信号；

开关元件，其与上述像素电极相连接；

栅极驱动器，其在读出信号时通过栅极总线使各开关元件依次导通；以及

数据集成部，其通过数据总线读出各上述储能电容所蓄积的电荷信号，

该检查方法的特征在于，包括以下步骤：

偏置电压步骤，多次反复利用上述共用电极施加偏置电压和停止施加偏置电压；

暗电流值测量步骤，对没有照射X射线的状态下的各像素的像素值进行测量；

缺陷像素识别步骤，根据在上述暗电流值测量步骤中测量出的各像素的像素值来识别缺陷像素；以及

判断步骤，根据在上述缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸来判断二维阵列X射线检测器是否合适。

2.根据权利要求1所述的二维阵列X射线检测器的检查方法，其特征在于，

上述偏置电压步骤中的施加偏置电压的时间和停止施加偏置电压的时间是通过测量缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸随时间的变化来预先设定为上述转换膜的电荷状态稳定的期间的时间。

3.一种二维阵列X射线检测器的检查方法，该二维阵列X射线检测器具备：

转换膜，其感应X射线并输出与入射的X射线剂量相对应的电荷信号；

共用电极，其形成在上述转换膜的表面，对上述转换膜施加偏置电压；

多个像素电极，其在上述转换膜的与上述共用电极相反一侧的表面与像素相对应地配置成矩阵状；

多个储能电容，其分别与各上述像素电极相连接并蓄积电荷信号；

开关元件，其与上述像素电极相连接；

栅极驱动器，其在读出信号时通过栅极总线使各开关元件依次导通；以及

数据集成部，其通过数据总线读出各上述储能电容所蓄积的电荷信号，

该检查方法的特征在于，包括以下步骤：

偏置电压步骤，多次反复利用上述共用电极施加偏置电压和施加反向偏置电压；

暗电流值测量步骤，对没有照射X射线的状态下的各像素的像素值进行测量；

缺陷像素识别步骤，根据在上述暗电流值测量步骤中测量出的各像素的像素值来识别缺陷像素；以及

判断步骤，根据在上述缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸来判断二维阵列X射线检测器是否合适。

4.根据权利要求3所述的二维阵列X射线检测器的检查方法，其特征在于，

上述偏置电压步骤中的施加偏置电压的时间和施加反向偏置电压的时间是通过测量缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸随时间的变化来预先设定为上述转换膜的电荷状态稳定的期间的时间。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的二维阵列X射线检测器的检查方法，其特征在于，

在上述判断步骤中，根据在上述缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素制作缺陷映射表，基于该缺陷映射表判断二维阵列X射线检测器是否合适。

6.根据权利要求5所述的二维阵列X射线检测器的检查方法，其特征在于，

在上述偏置电压步骤之前还包括制作初始的缺陷映射表的初始缺陷映射表制作步骤，

在上述判断步骤中，将根据在上述缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素制作的缺陷映射表与在上述初始缺陷映射表制作步骤中制作的初始的缺陷映射表进行比较，由此判断二维阵列X射线检测器是否合适。

7.根据权利要求1至4中的任一项所述的二维阵列X射线检测器的检查方法，其特征在于，

在上述暗电流值测量步骤中，在没有对上述转换膜照射X射线的状态下，使上述开关元件依次导通来检测各像素的电荷信号。

8.根据权利要求1至8中的任一项所述的二维阵列X射线检测器的检查方法，其特征在于，

在上述偏置电压步骤中，对上述转换膜进行加热。