[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成的第二导电类型的第二半导体层；

在所述第二半导体层的表面中形成的条纹状的第一沟槽；

隔着绝缘膜形成在所述第一沟槽中的栅电极；

在所述第一沟槽之间在所述第一沟槽的延伸方向上选择性地形成的所述第一导电类型的第三半导体层；

在所述第三半导体层的表面中选择性地形成的所述第二导电类型的第四半导体层；

与所述第三半导体层和第四半导体层接触的发射电极；

与所述第一半导体层接触的集电电极；以及

在彼此相邻的第一沟槽之间形成的第二沟槽，所述第二沟槽与彼此相邻的第一沟槽平行地形成，并且所述第二沟槽在两个第三半导体层之间形成。

2.如权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括隔着绝缘膜埋入所述第二沟槽中的第一电导体，所述第一电导体与所述栅电极间隔开。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电导体连接到所述发射电极。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电导体连接到位于所述第二沟槽的在所述第二沟槽的延伸方向上的远端部分中的发射电极。

5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述两个或两个以上的第二沟槽在彼此相邻的第一沟槽之间形成。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，在两个或两个以上的第二沟槽中形成的所述第一沟槽彼此电连接，用于将所述第一电导体设置为相同电位。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，彼此相邻的第二沟槽在所述第二沟槽的在所述第二沟槽的延伸方向上的各远端部分中彼此连接，以及

在所述第二沟槽中形成的所述第一电导体在所述远端部分中彼此连接。

8.如权利要求6所述的半导体器件，所述半导体器件还包括在彼此相邻的第二沟槽的上表面上的第二电导体，所述第二电导体与所述第一电导体接触以使所述第二沟槽中的所述第一电导体彼此连接，以及

所述第二电导体连接到在所述第二电导体的一部分中的所述发射电极。

9.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电导体与所述发射电极、所述集电电极、以及所述栅电极分隔开，用于将所述第一电导体设置为浮动电位。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第一沟槽的沿所述第一沟槽的延伸方向的侧壁上、或者在所述第二沟槽的沿所述第二沟槽的延伸方向的侧壁上彼此接触。

11.如权利要求1至10中的任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的距离比在热平衡状态中从所述第二半导体层和所述第三半导体层之间的pn结扩展到所述第二半导体层中的内置耗尽层的宽度短。