[发明专利]适合于发光二极管、激光二极管或者光电检测器的电阻元件

说明书

技术领域

提出了一种电阻元件。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种电阻元件，其尤其良好地适用于与例如发光二极管、激光二极管或光电检测器的光电子器件一起应用。

根据电阻元件的至少一个实施形式，电阻元件具有基体。基体例如用半导体材料形成。这就是说，基体能够由半导体材料制成，例如将掺杂材料设置到所述半导体材料中。例如，基体由n掺杂或者p掺杂的硅制成。然而还可能的是，基体具有层结构，在所述层结构中例如彼此层状重叠地设有半导体材料和金属。

根据电阻元件的至少一个实施形式，电阻元件包括第一接触元件。第一接触元件与基体导电连接。接触元件由导电材料制成，例如由金属制成。例如，第一导电元件构成为层，所述层局部地施加到基体上并且遵循基体的轮廓。于是，层能够与基体处于直接的接触。

根据电阻元件的至少一个实施形式，电阻元件包括与基体导电连接的第二接触元件。第二接触元件同样能够由例如金属的导电材料制成。第二接触元件能够构成为层，所述层形状配合地局部地施加在基体上。

在此，第一和第二接触元件没有直接地彼此导电连接，而是电阻元件的至少一个基体设置在第一和第二接触元件之间。这就是说，在第一和第二接触元件之间的电流流过基体或者流过基体的至少一部分。

根据电阻元件的至少一个实施形式，基体具有第一主面，凹部设置到所述主面中。这就是说，在基体的第一主面处，——例如在基体的上侧处——取出基体的材料，使得基体在那里具有孔或者开口。在此，优选凹部并未构成为使得所述凹部从基体的一侧达到基体的对置的侧处，而是通过凹部仅仅在基体中形成没有完全地穿透基体的开口或者孔。

根据电阻元件的至少一个实施形式，第一接触元件在凹部中至少局部地与基体导电连接。例如，在凹部的区域中，至少基体的85%能够由接触元件所覆盖。在此可能的是，基体在凹部的区域中完全地由接触元件覆盖。因此，接触元件能够在凹部中与基体直接地接触。例如，基体在凹部的区域中以第一接触元件的材料覆层。

根据电阻元件的至少一个实施形式，电阻元件的基体具有第二主面。第二主面例如对置于第一主面设置。电阻元件的基体例如能够根据圆柱体或者长方体的类型构成。因此，基体的主面例如通过圆柱体或者长方体的盖面形成。

根据电阻元件的至少一个实施形式，第二接触元件在第二主面处至少局部地与基体导电连接。例如，第二接触元件为此局部地或者完全地覆盖第二主面。第二接触元件例如能够作为金属层施加到基体的第二主面上。尤其可能的是，第二接触元件和基体彼此直接地接触。

根据电阻元件的至少一个实施形式，电阻元件包括基体，所述基体以半导体材料形成。此外，电阻元件包括分别与基体导电连接的第一和第二接触元件。在此，基体具有第一主面，将凹部设置到所述第一主面中。第一接触元件在凹部中至少局部地与基体导电连接。基体还具有第二主面，所述第二主面对置于第一主面设置。第二接触元件在第二主面处至少局部地与基体导电连接。

在电阻元件的工作中，例如从第一接触元件流出的电流穿流过基体并且从那里到达第二接触元件中。在此，基体中的凹部例如从第一主面朝第二主面延伸。由于将第一接触元件设置到凹部中并且在那里与基体导电连接的事实，通过凹部减小了在第一接触元件和第二接触元件之间穿过基体的短路路径。以该方式可能的是，选择相对厚的、机械稳定的基体，其中通过凹部将穿过基体的短路路径减小为使得尽管使用厚的基体而电阻元件的电阻仍不变得过大，以便例如用于如发光二极管的光电子半导体器件。经由凹部的深度，即在第一接触元件和第二接触元件之间的距离或者穿过基体的、由此形成的短路路径的长度，能够以简单的方式调节电阻元件的电阻，使得例如能够进行将电阻匹配于发光二极管芯片的正向电压和亮度，电阻元件与所述发光二极管芯片一起使用。

根据电阻元件的至少一个实施形式，在第一主面和第一接触元件之间设置电绝缘的钝化元件。这就是说，第一接触元件至少局部地没有与基体的第一主面直接接触，而是在第一接触元件和基体的第一主面的区域之间设置电绝缘的钝化元件。电绝缘的钝化元件例如为电绝缘层，所述电绝缘层能够由陶瓷材料、氮化硅或者二氧化硅制成。