[发明专利]适合于发光二极管、激光二极管或者光电检测器的电阻元件

权利要求书

1.电阻元件（1），所述电阻元件具有：

-基体（2），所述基体用半导体材料制成，

-第一接触元件（5），所述第一接触元件与所述基体（2）导电连接，和

-第二接触元件（6），所述第二接触元件与所述基体（2）导电连接，其中

-所述基体（2）具有第一主面（2a），在所述第一主面中设置有凹部（3），

-所述第一接触元件（5）在所述凹部（3）中至少局部地与所述基体（2）导电连接，

-所述基体（2）具有第二主面（2b），所述第二主面对置于所述第一主面（2a）设置，

-所述第二接触元件（6）在所述第二主面（2b）处至少局部地与所述基体（2）导电连接。

2.根据上一权利要求所述的电阻元件（1），其中在所述第一主面（2a）和所述第一接触元件（5）之间设置有电绝缘的钝化元件（4）。

3.根据上述权利要求之一所述的电阻元件（1），其中所述第一接触元件（5）和所述基体仅仅在所述凹部（3）的区域中彼此导电连接。

4.根据上述权利要求之一所述的电阻元件（1），其中所述凹部具有至少一个侧面（3a）和至少一个底面（3b），其中

-所述至少一个侧面（3a）和所述至少一个底面（3b）朝向所述基体（2）对所述凹部限界，并且

-所述至少一个侧面（3a）和所述至少一个底面（3b）完全地与所述第一接触元件（5）直接接触。

5.根据上述权利要求之一所述的电阻元件（1），其中所述凹部棱锥式地构成，所述棱锥的尖部朝向所述第二主面（2b）。

6.根据上述权利要求之一所述的电阻元件（1），其中所述凹部在其至少一个侧面（3a）和其至少一个底面（3b）处具有刻蚀工艺的痕迹。

7.根据上述权利要求之一所述的电阻元件（1），所述电阻元件具有

-正的温度系数。

8.根据上述权利要求之一所述的电阻元件（1），其中所述基体（2）由掺杂的硅制成，其中掺杂材料浓度为至少10¹⁵cm^-3和至多10¹⁷cm^-3。

9.根据上述权利要求之一所述的电阻元件（1），其中所述基体（2）具有至少100μm的厚度。

10.根据上述权利要求之一所述的电阻元件（1），其中所述第一主面（2a）和/或所述第二主面（2b）具有最多1mm²的基面。

11.用于制造多个根据上述权利要求之一所述的电阻元件（1）的方法，所述方法具有下述步骤：

-提供由半导体材料制成的晶圆（20）；

-将钝化元件（4）施加到所述晶圆（20）的第一主面（20a）上；

-在所述钝化元件（4）中局部地形成开口，在所述开口中分别露出所述半导体材料；

-对所述开口中露出的所述半导体材料进行湿化学刻蚀方法，以形成凹部（3）；并且

-将第一接触元件（5）设置到所述凹部中的至少一些中。

12.根据上一权利要求所述的方法，其中所述凹部中的至少两个具有彼此不同的最大直径（D）。

13.照明装置，所述照明装置具有：

-发光二极管的第一布置（7），所述发光二极管的第一布置包括至少一个第一类型的发光二极管（7a），

-发光二极管的第二布置（8），所述发光二极管的第二布置包括至少一个第二类型的发光二极管（8a），和

-根据权利要求1至10之一所述的电阻元件（1），其中

-所述第一类型的发光二极管（8a）具有与所述第二类型的发光二极管（8b）不同的温度相关性，

-所述电阻元件（1）和所述发光二极管的第二布置（8）形成串联电路（10），并且

-所述串联电路（10）和所述发光二极管的第一布置（7）形成并联电路。