[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201180009968.5 | 申请日： | 2011-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN102763214A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 斋藤利彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;G11C16/04;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱孟清 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种包括一元件的半导体器件，所述元件包括：
包括第一半导体层和第一栅电极的第一晶体管；
所述第一晶体管的至少一部分上的绝缘层；以及
包括背栅电极、所述背栅电极上的第二半导体层、以及所述第二半导体层上的第二栅电极的第二晶体管，
其中所述绝缘层插在所述第二半导体层和所述背栅电极之间，
所述第二半导体层包括氧化物半导体膜，并且
所述背栅电极由与所述第一栅电极相同的膜构成。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一晶体管由SOI基板支承。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一晶体管由硅基板支承。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述绝缘层具有平整的上表面。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一栅电极的顶面未被所述绝缘层覆盖。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述背栅电极和所述第二半导体层的沟道形成区之间的距离等于所述第一半导体层的厚度。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述元件是存储元件。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述元件是反相元件。
9.一种包括一元件的半导体器件，所述元件包括：
包括第一半导体层和第一栅电极的第一晶体管；
所述第一晶体管的至少一部分上的绝缘层；以及
包括背栅电极、所述背栅电极上的第二半导体层、所述第二半导体层上的第二栅电极、以及源电极和漏电极的第二晶体管，
其中所述绝缘层插在所述第二半导体层和所述背栅电极之间，
所述第二半导体层包括氧化物半导体膜，
所述背栅电极由与所述第一栅电极相同的膜构成，以及
所述第一栅电极与所述源电极和所述漏电极之一接触。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一晶体管由SOI基板支承。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一晶体管由硅基板支承。
12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，
所述绝缘层具有平整的上表面。
13.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一栅电极的顶面未被所述绝缘层覆盖。
14.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，
所述背栅电极和所述第二半导体层的沟道形成区之间的距离等于所述第一半导体层的厚度。
15.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，
所述元件是存储元件。
16.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，
所述元件是反相元件。
17.一种包括一元件的半导体器件，所述元件包括：
包括第一半导体层和第一栅电极的第一晶体管；
所述第一晶体管的至少一部分上的绝缘层；
包括背栅电极、所述背栅电极上的第二半导体层、以及所述第二半导体层上的第二栅电极的第二晶体管；以及
包括第一电容器电极、以及所述第一电容器电极上的第二电容器电极的电容器，
其中所述绝缘层插在所述第二半导体层和所述背栅电极之间，
所述第二半导体层包括氧化物半导体膜，以及
所述背栅电极、所述第一栅电极、以及所述第二电容器电极由与所述第一栅电极相同的膜构成。
18.如权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一晶体管由SOI基板支承。
19.如权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一晶体管由硅基板支承。
20.如权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，
所述绝缘层具有平整的上表面。
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