[发明专利]导电膜及其制造方法无效
申请号: | 201180006563.6 | 申请日: | 2011-01-18 |
公开(公告)号: | CN102741945A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 东谷公;都藤靖泰;中山将辉;挂伸二 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人京都大学;三洋化成工业株式会社;三菱丽阳株式会社 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/14 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 及其 制造 方法 | ||
1.一种导电膜的制造方法,其包括:
在基板(A)的表面上配置模具(B),所述模具(B)具有贯通与基板(A)接触的面和其背面的网格结构的开口部,
在配置有模具(B)的基板(A)的表面展开导电性颗粒(P)的分散液(D)并使其干燥,由此在基板(A)与模具(B)的接触点附近形成基于导电性颗粒(P)的网格状结构(C),然后,
从基板(A)上取下模具(B),由此在基板(A)的表面上形成基于导电性颗粒(P)的网格状结构(C)的工序。
2.根据权利要求1所述的导电膜的制造方法,其包括:在基板(A)的表面上配置模具(B)后,从模具(B)的上部供给分散液(D)并在基板(A)的表面进行展开的工序。
3.一种导电膜的制造方法,其包括:
在基板(A)的表面上展开导电性颗粒(P)的分散液(D),
从展开于基板(A)的表面的分散液(D)的上方配置模具(B)并使分散液干燥,由此在基板(A)与模具(B)的接触点附近形成基于导电性颗粒(P)的网格状结构(C),所述模具(B)具有贯通与基板(A)接触的面和其背面的网格结构的开口部,然后,
从基板(A)上取下模具(B),由此在基板(A)的表面上形成基于导电性颗粒(P)的网格状结构(C)的工序。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的导电膜的制造方法,其包括:在基板(A)的表面上形成基于导电性颗粒(P)的网格状结构(C)之后,进一步进行导电化处理的工序。
5.根据权利要求4所述的导电膜的制造方法,其中,所述导电化处理为加热焙烧。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的导电膜的制造方法,其包括:在基板(A)的表面上形成基于导电性颗粒(P)的网格状结构(C)的工序、和对所述网格状结构(C)进一步进行电解镀的工序。
7.一种导电膜的制造方法,其包括:通过权利要求1~6中的任一项所述的方法形成网格状结构(C)的工序;和在基板(A)的表面上形成树脂层,将所得的树脂层从基板(A)上剥离,由此在树脂层的表面转印所述网格状结构(C)或对其进行导电化处理而得到的网格状结构的工序。
8.一种导电膜的制造方法,其包括:通过权利要求1~6中的任一项所述的方法形成网格状结构(C)的工序:和在基板(A)的表面上涂布单体组合物(X)或树脂组合物(Y),在其上配置基板(E),然后,在使用所述(X)时通过聚合形成树脂层,将所得的树脂层从基板(A)上剥离,由此在树脂层的表面转印所述网格状结构(C)或对其进行导电化处理而得到的网格状结构的工序。
9.一种导电膜,其通过权利要求1~8中的任一项所述的方法制造。
10.一种导电膜,其为在基板表面上由导体形成了微细图案的导电膜,其具有下述(1)~(3)的特征:
(1)所述微细图案具有网格结构;
(2)所述微细图案的线宽为0.5~6μm;以及
(3)所述微细图案的细线的截面的形状具有上方为弧形的弓形结构。
11.根据权利要求10所述的导电膜,其中,导电膜表面电阻率为100Ω/□以下。
12.一种导电膜,其为将权利要求10或11所述的导电膜转印到具有挠性的树脂薄膜或树脂片上而成的导电膜,其具有下述(a)~(d)的特征:
(a)转印后的导体的微细图案具有网格结构;
(b)转印后的导体的微细图案的线宽为0.5~6μm;
(c)导电膜的透光率为77%以上;以及
(d)导电膜表面电阻率为100Ω/□以下。
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