[发明专利]成形装置及成形方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种成形装置及成形方法。

背景技术

已知有用树脂封装材料包覆（封装）半导体芯片（半导体元件）形成的半导体封装件。半导体封装件的封装材料通过例如转移成形等对树脂组合物进行成形加工而得到。在制造该树脂组合物的过程中，在一对轧辊间对该树脂组合物进行加压、制成片状（例如可参见专利文献1）。

专利文献1中记载的各轧辊，其外周面被认为通常由金属材料构成。这样，各轧辊的外周面由金属材料构成时，在轧辊间对树脂组合物进行加压时，由于该树脂组合物和各轧辊外周面之间的摩擦，从各外周面上会产生金属粉。因此，存在会制造出金属粉作为异物混入的树脂组合物的问题。并且，在将混入有金属粉的树脂组合物用于半导体封装件的封装时，不能切实地使半导体芯片绝缘、进行封装，半导体芯片会由于混入的金属粉而出现短路。

专利文献1：日本特开2006-297701号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种在对树脂组合物进行加压、使其成形为片状时能切实地防止该树脂组合物中混入金属粉末的成形装置及成形方法。

上述目的通过下述（1）～（12）的本发明来达到。

（1）一种成形装置，具有并列设置的一对轧辊，在该对轧辊之间对树脂组合物进行加压，使其成形为片状，其特征在于，

所述各轧辊，其各自的至少外周面由陶瓷构成。

（2）上述（1）所述的成形装置，其中，所述各轧辊分别具有呈圆柱状或圆筒状的芯部和设置在该芯部的外周部、由所述陶瓷构成的外层。

（3）上述（2）所述的成形装置，其中，所述外层的厚度为0.2～100mm。

（4）上述（1）～（3）中任一项所述的成形装置，其中，所述陶瓷包含氧化物类陶瓷。

（5）上述（1）～（4）中任一项所述的成形装置，其中，所述各轧辊的外周面的表面粗糙度Ra（按JIS B 0601中的定义）为0～2μm。

（6）上述（1）～（5）中任一项所述的成形装置，其中，所述一对轧辊安装成彼此的轴间距离可变。

（7）上述（1）～（6）中任一项所述的成形装置，其具有对在所述一对轧辊之间通过的所述树脂组合物进行冷却的冷却手段。

（8）上述（7）所述的成形装置，其中，通过所述冷却手段，所述各轧辊的外周面的表面温度在20℃以下。

（9）上述（1）～（8）中任一项所述的成形装置，其中，所述树脂组合物为用混炼装置混炼过的混炼物，

所述一对轧辊设置在所述混炼装置的排出所述混炼物的排出口的下游侧。

（10）上述（9）所述的成形装置，其中，所述混炼装置具有对所述混炼物进行脱气的功能，

通过所述一对轧辊，使所述脱气后的混炼物成形为片状。

（11）上述（1）～（9）中任一项所述的成形装置，其中，所述树脂组合物成为构成IC封装件的外封装部的模塑部。

（12）一种成形方法，其中，使用并列设置的一对轧辊，在该对轧辊之间对树脂组合物进行加压，使其成形为片状，其特征在于，

所述各轧辊的各自的至少外周面由陶瓷构成。

附图说明

图1是显示树脂组合物的制造工序的图。

图2是本发明的成形装置及其周边装置的部分截面侧视图。

图3是图2中所示成形装置的轧辊的纵截面图。

图4是显示本发明的成形装置的第2实施方式的侧视图。

图5是显示本发明的成形装置的第3实施方式的部分截面侧视图。

图6是使用树脂组合物的IC封装件的部分截面图。

具体实施方式

下面根据附图中所示的优选实施方式对本发明的成形装置及成形方法进行详细说明。

<第1实施方式>

图1是显示树脂组合物的制造工序的图，图2是本发明的成形装置及其周边装置的部分截面侧视图，图3是图2中所示成形装置的轧辊的纵截面图，图6是使用树脂组合物的IC封装件的部分截面图。此外，下面，根据说明需要，将图2、图5、图6中的上侧称作“上”、“上方”或“上游”，将下侧称作“下”、“下方”或“下游”。

图2所示的本发明的成形装置1是一种在制造最终形成成形体的树脂组合物时的片材化工序中使用的装置。在说明该成形装置1之前，首先对由原材料制造树脂组合物为止的整个制造工序进行说明。

首先，准备作为树脂组合物的原材料的各种材料。