[发明专利]半导体晶圆加工用粘合片

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶圆加工用粘合片。

背景技术

为了使形成IC等电路图案的半导体晶圆其尽可能地薄，对其实施背面磨削处理等加工。在加工半导体晶圆时，为了防止例如，晶圆破损、或者电路图案形成面被磨削屑等污染、损伤，借助自动粘接装置，预先在其电路图案形成面粘接表面保护片。然后，在实施了晶圆的背面磨削等加工之后，其表面保护片被剥离除去，移送至晶圆清洗工序中。另外，在之后的工序中晶圆被单片化，为了对其进行PKG制造工序而使用加工用片。

作为这样的表面保护片或加工用片，通常公知的是，在基材上使用备有粘合剂层的粘合片，在粘合剂层添加有作为增塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯等邻苯二甲酸酯而成的片。

但是，备有添加有邻苯二甲酸酯的粘合剂层的粘合片在低温、高湿等环境条件下保存时，来自粘合剂成分的污点会在粘合剂层表面析出。其结果，将该粘合片粘接在晶圆上时有时会污染电路图案形成面。

另外，在使用上述表面保护片或加工用片时，对于剥离除去该片后的电路图案形成面等，需要利用丙酮、异丙醇等亲水性有机溶剂进行预清洗，并进一步进行水洗。其结果，存在需要考虑由有机溶剂的使用引起的环境卫生的对策、且清洗效率差这样的问题。

对此，提出了含有聚丙二醇这样的水溶性聚合物作为粘合剂成分的粘合片(例如日本特开平5-335288公报)。

但是，即使是在使用这样的粘合片的情况下，也会由于水溶性聚合物在电路图案形成面等渗出而需要水洗工序，因此没有实现根本性的解决。

另外，2007年6月1日起施行REACH管制法，邻苯二甲酸酯被列为候选的高度关注的物质之一，存在今后制限使用或禁止使用的可能性。

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于上述问题而成的，其目的在于，提供一种半导体晶圆加工用粘合片，其在各种环境下的保存稳定性优异、使用后还可以防止对被粘物的污染。

用于解决问题的方案

本发明人等对半导体晶圆加工用粘合片的保存稳定性等进行了深入研究，结果查明了以下(i)及(ii)，从而完成了本发明。(i)没有预想到的是，在包含基础聚合物、增塑剂及表面活性剂的粘合剂中，渗出的成分不是增塑剂而仅为表面活性剂成分；(ii)在使用的增塑剂和表面活性剂的组合中，通过使至今未考虑过的SP值的关系在特定范围内，使得即使在包括高温加湿条件的各种环境下保存，也可以不使污点从被粘物侧析出而稳定地保存。

即，本发明的半导体晶圆加工用粘合片的特征在于，在基材的至少单面备有粘合剂层，前述粘合剂层包含基础聚合物、聚酯系的增塑剂及表面活性剂，前述增塑剂及表面活性剂的溶解度参数(SP值)满足如下关系：

0.9≤[增塑剂的SP值]/[表面活性剂的SP值]≤1.0。

在这种半导体晶圆加工用粘合片中，

优选的是，相对于100重量份基础聚合物，含有10～50重量份前述增塑剂。

另外，优选的是，相对于100重量份基础聚合物，添加有1～10重量份前述表面活性剂。

进而，优选的是，前述基础聚合物包含丙烯酸系聚合物。

另外，优选的是，在将满足0.2≤B/A≤5.7关系的、备有膜厚为Aμm的粘合剂层的半导体晶圆加工用粘合片贴合在具有台阶为B μm的晶圆表面时，

从台阶浮起的前述粘合片的初始浮起量d1与24小时后的粘合片的浮起量d2满足如下关系：

(d2/d1)×100≤110(％)。

发明的效果

根据本发明，可以提供在各种环境下具有优异的保存稳定性、使用后还可以防止对被粘物的污染的半导体晶圆加工用粘合片。

附图说明

图1A为用于说明对于本发明的粘合片对台阶的初始浮起量d1的剖面示意图。

图1B为用于说明对于本发明的粘合片对台阶的经时浮起量d2的剖面示意图。

具体实施方式

本发明的半导体晶圆加工用粘合片(以下，有时简称为“粘合片”)备有基材、和至少在基材的单面配置的粘合剂层。粘合剂层至少由包含基础聚合物、和聚酯系的增塑剂、和表面活性剂的粘合剂形成。

(增塑剂)

用于本发明的增塑剂为降低粘合剂对被粘物的粘接力的物质，聚酯系的增塑剂是合适的。增塑剂的种类可以根据所使用的粘合剂而适宜选择，满足后述溶解度参数(SP值)的关系的物质是合适的。