[发明专利]半导体晶圆加工用粘合片无效
| 申请号： | 201180003930.7 | 申请日： | 2011-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102549720A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 大石伦仁;新谷寿朗 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;C09J11/06;C09J133/04;C09J167/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶圆加 工用 粘合 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶圆加工用粘合片，其特征在于，
在基材的至少单面备有粘合剂层，
所述粘合剂层包含基础聚合物、聚酯系的增塑剂及表面活性剂，
所述增塑剂及表面活性剂的溶解度参数(SP值)满足如下关系：
0.9≤[增塑剂的SP值]/[表面活性剂的SP值]≤1.0。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆加工用粘合片，其中，其是相对于100重量份基础聚合物添加有10～50重量份所述增塑剂而成的。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆加工用粘合片，其中，其是相对于100重量份基础聚合物添加有1～10重量份所述表面活性剂而成的。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体晶圆加工用粘合片，其中，所述基础聚合物包含丙烯酸系聚合物。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体晶圆加工用粘合片，其中，在将满足0.2≤B/A≤5.7关系的、备有膜厚为Aμm的粘合剂层的半导体晶圆加工用粘合片贴合在具有台阶为Bμm的晶圆表面时，
从台阶浮起的所述粘合片的初始浮起量d1与24小时后的粘合片的浮起量d2满足如下关系：
(d2/d1)×100≤110(％)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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