[发明专利]非水二次电池无效
申请号: | 201180003753.2 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN103190020A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 加味根丈主;岸见光浩;喜多房次 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01M4/62 | 分类号: | H01M4/62;H01M4/131;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/505;H01M4/525 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二次 电池 | ||
技术领域
本发明涉及锂离子二次电池等非水二次电池。
背景技术
以锂离子二次电池为代表的非水二次电池,由于能量密度高这样的特征,作为手机或笔记本型个人电脑等便携仪器的电源而被广泛使用。伴随着便携仪器的高性能化,锂离子二次电池的高容量化有进一步发展的倾向,为了进一步提高能量密度正在进行研究开发。
另一方面,最近伴随着非水二次电池的高性能化,非水二次电池开始被用作便携仪器的电源以外的电源。例如,汽车用或自行车用的电源、机器人等移动体用的电源等开始使用非水二次电池。将非水二次电池用于汽车用或自行车用的电源、机器人等移动体用的电源等时,必须谋求更高容量化。
作为谋求非水二次电池的高容量化的一个对策,有使电极合剂层的厚度增大的方法。但是,使电极合剂层的厚度增大时,有时导致高输出功率充放电时的容量下降。这是由随着电极合剂层的厚度增大,与集电体的距离变大的活性物质增加,考虑是电极内的导电性下降的原因之一。另一方面,作为提高电极内的导电性的方法,例如,在专利文献1中,提出使正极合剂层含有电子传导性聚合物的方法。
另外,作为谋求非水二次电池的高容量化的其他对策,例如,在专利文献2中,提出用硅烷化合物被覆正极活性物质的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平11-273662号公报(专利第3699589号公报)
专利文献2:日本特开2002-367610号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,专利文献1中记载的方法,在反复充放电中,电子传导性聚合物分解,存在难以保持初期良好的电池特性的问题。另外,专利文献2中记载的方法中,用硅烷化合物被覆正极活性物质,因此正极活性物质的表面的导电性降低,存在不能充分抑制高输出功率充放电时的容量降低的问题。
本发明解决了上述问题,因此可提供高输出功率充放电特性及充放电循环特性优异的非水二次电池。
解决课题的方法
本发明的非水二次电池是包含正极、负极、非水电解质及隔板的非水二次电池,所述正极包含含有正极活性物质、导电性聚合物、有机硅烷化合物、导电助剂和粘合剂的正极合剂层,所述导电性聚合物为聚噻吩或其衍生物,相对于上述正极合剂层的总质量,所述导电性聚合物的含量为0.05~0.5质量%。
发明效果
通过本发明,可提供高输出功率充放电特性及充放电循环特性优异的非水二次电池。
附图说明
[图1]图1表示本发明的非水二次电池的一个例子的俯视图。
具体实施方式
本发明的非水二次电池具有正极、负极、非水电解质及隔板。另外,上述正极包含含有正极活性物质、导电性聚合物、有机硅烷化合物、导电助剂和粘合剂的正极合剂层,上述导电性聚合物为聚噻吩或其衍生物,相对于上述正极合剂层的总质量,上述导电性聚合物的含量为0.05~0.5质量%。
本发明的非水二次电池具有具备含有聚噻吩或其衍生物(导电性聚合物)的正极合剂层的正极,因此正极合剂层的导电性提高,即使正极合剂层增厚,导电性也不降低。另外,本发明的非水二次电池具有具备含有有机硅烷化合物的正极合剂层的正极,因此通过有机硅烷化合物被覆正极活性物质的表面,即使反复充放电,也可抑制上述导电性聚合物的分解。这样,本发明通过上述导电性聚合物与上述有机硅烷化合物的协同效果,可提供高输出功率充放电特性及充放电循环特性优异的非水二次电池。
〔正极〕
本发明的非水二次电池的正极,例如,可使用在集电体的单面或两面具有正极合剂层的结构的物质,所述正极合剂层含有正极活性物质、导电性聚合物、有机硅烷化合物、导电助剂、粘合剂等。
<导电性聚合物>
本发明中使用的导电性聚合物为聚噻吩或其衍生物。聚噻吩或其衍生物兼具电子传导性和锂离子传导性。因此,通过使正极合剂层含有聚噻吩或其衍生物,正极合剂层的导电性提高。
上述导电性聚合物的含量,相对于正极合剂层的总质量为0.05~0.5质量%。该范围的含量时,可充分发挥正极合剂层的导电性的提高效果。
以下,说明本发明的聚噻吩或其衍生物,但并不限定于此。
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