[发明专利]非水二次电池无效
| 申请号： | 201180003753.2 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103190020A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 加味根丈主;岸见光浩;喜多房次 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/131;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/505;H01M4/525 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二次 电池 | ||
1.一种非水二次电池，其特征在于，其是包含正极、负极、非水电解质及隔板的非水二次电池，
所述正极包含含有正极活性物质、导电性聚合物、有机硅烷化合物、导电助剂和粘合剂的正极合剂层，
所述导电性聚合物为聚噻吩或其衍生物，
相对于所述正极合剂层的总质量，所述导电性聚合物的含量为0.05～0.5质量％。
2.根据权利要求1所述的非水二次电池，其中，所述有机硅烷化合物被覆所述正极活性物质的表面。
3.根据权利要求1所述的非水二次电池，其中，相对于所述正极合剂层的总质量，所述有机硅烷化合物的含量为0.05～3.0质量％。
4.根据权利要求1所述的非水二次电池，其中，相对于所述正极合剂层的总质量，所述粘合剂的含量为0.5～5.0质量％。
5.根据权利要求1所述的非水二次电池，其中，将所述导电助剂的含量相对于所述正极合剂层的总质量作为A质量％，将所述粘合剂的含量相对于所述正极合剂层的总质量作为B质量％，A/B≥1的关系成立。
6.根据权利要求1所述的非水二次电池，其中，所述正极合剂层的厚度为70～300μm。
7.根据权利要求1所述的非水二次电池，其中，所述正极活性物质包含含锂复合氧化物，所述含锂复合氧化物含有镍、钴及锰作为构成元素且具有层状结构。
8.根据权利要求1所述的非水二次电池，其中，所述负极包含在构成元素中含有硅和氧的材料来作为负极活性物质。
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