[实用新型]泄漏电流补偿电路及收发器

权利要求书

1.一种电路，其包括：

第一晶体管，其耦合到第一节点，所述第一晶体管经配置以产生驱动电流，所述驱动电流的产生导致来自所述第一晶体管的第一泄漏电流，所述驱动电流及所述第一泄漏电流在产生时各自流动到所述第一节点中；及

泄漏电流补偿电路，其耦合到所述第一节点且包括：

第二晶体管，其经配置以产生第二泄漏电流；及

电流镜，其包括第三晶体管及第四晶体管，第一电流镜经配置以接收并放大所述第二泄漏电流以产生泄漏补偿电流，所述泄漏补偿电流在产生时流动远离所述第一节点并穿过所述电流镜的所述第四晶体管。

2.根据权利要求1所述的电路，其中由所述第一晶体管产生的所述驱动电流的量是基于参考电压与所述第一节点处的电压的一小部分之间的差。

3.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述第二晶体管包括p型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；

所述第二晶体管的栅极及源极耦合到所述电路的供应电压；且

所述第二晶体管的漏极耦合到所述电流镜。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一晶体管与第五晶体管构成另一电流镜。

5.根据权利要求4所述的电路，其中另一电流镜经配置以接收并放大由差分放大器根据参考电压与所述第一节点处的电压的一小部分之间的差而产生的电流。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第二晶体管的纵横比约等于所述第五晶体管的纵横比。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述第四晶体管的纵横比除以所述第三晶体管的纵横比约等于所述第一晶体管的纵横比除以所述第五晶体管的所述纵横比。

8.一种收发器，其包括：

电路，其包括：

第一晶体管，其耦合到第一节点，所述第一晶体管经配置以产生驱动电流，所述驱动电流的产生导致来自所述第一晶体管的第一泄漏电流，所述驱动电流及所述第一泄漏电流在产生时各自流动到所述第一节点中；及

泄漏电流补偿电路，其耦合到所述第一节点且包括：

第二晶体管，其经配置以产生第二泄漏电流；及

电流镜，其包括第三晶体管及第四晶体管，第一电流镜经配置以接收并放大所述第二泄漏电流以产生泄漏补偿电流，所述泄漏补偿电流在产生时流动远离所述第一节点并穿过所述电流镜的所述第四晶体管；

发射器，其经配置以在发射数据时使用所述驱动电流的至少第一部分；及接收器，其经配置以在接收数据时使用所述驱动电流的至少第二部分。

9.根据权利要求8所述的收发器，其中所述发射器及接收器耦合到局部互连网络LIN。

10.根据权利要求8所述的收发器，其中所述发射器及接收器耦合到汽车的局部互连网络LIN。

11.根据权利要求8所述的收发器，其中由所述第一晶体管产生的驱动电流的量是基于参考电压与所述第一节点处的电压的一小部分之间的差。

12.根据权利要求8所述的收发器，其中：

所述第二晶体管包括p型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；

所述第二晶体管的栅极及源极耦合到所述电路的供应电压；且

所述第二晶体管的漏极耦合到所述第一电流镜。