[实用新型]晶圆处理装置有效

专利信息
申请号: 201120573868.2 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN202487545U 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 王振荣;刘红兵;陈概礼 申请(专利权)人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海脱颖律师事务所 31259 代理人: 李强
地址: 201616 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种晶圆处理装置。

背景技术

晶圆生产过程中,晶圆表面会形成盲孔。晶圆表面的盲孔内易储存气泡。气泡的存在会影响电镀质量。因为存在气泡,电镀液难以到达盲孔内,由于电镀液无法到达盲孔内,因此盲孔内表面无法达到电镀要求。因此,为提高电镀质量,需要处理晶圆以去除盲孔内的气泡。并且需要在电镀之前使用润湿液润湿晶圆。但现有技术中,去除晶圆盲孔内气泡的方法复杂,去除气泡效果不够理想。在去除盲孔内气泡的处理过程中及润湿过程中,需要固定晶圆,以免损坏晶圆。晶圆大规模生产过程中,需要每一步操作都能快速、节省时间。晶圆由于厚度薄,因此在大部分处理过程中需要夹具固定。但现有技术中的夹具结构复杂,使用不便,装夹及拆卸不方便,操作时间长、工序多、效率低。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种结构简单、能够将晶圆固定于容腔内的晶圆处理装置。

为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案实现:

晶圆处理装置,其特征在于,包括槽体,所述槽体设置有容腔;所述容腔内设置有支架。

优选地是,所述支架具有一弧形边,所述弧形边的中部设置有沿支架高度方向延伸的第一定位槽;所述第一定位槽一侧或两侧设置有第二定位槽;所述第二定位槽设置于弧形边上且沿支架高度方向延伸;所述第一定位槽高度大于第二定位槽高度。

优选地是,所述支架数目为两个,两个支架间隔设置。

优选地是,所述槽体设置有可打开的密封槽盖,所述密封槽盖密封容腔。

优选地是,所述槽体设置有抽真空管,所述抽真空管与容腔连通。

优选地是,所述的槽体上安装有用于检测容腔内真空度的检测仪。

优选地是,所述槽体还安装有进液管和出液管,所述进液管与出液管均与容腔连通。

优选地是,还包括晶圆夹具,所述晶圆夹具包括基板,所述基板中部设置有第一通孔;基板正面设置有两个以上的第一定位柱,两个以上的第一定位柱沿圆周方向分布;所述第一定位柱端部设置有用于压住晶圆的第一端头;所述第一端头与基板正面具有与晶圆厚度相适应的距离;还包括至少一个可运动的第二定位柱;所述第二定位柱具有可压住晶圆的第二端头;所述第二端头与基板正面具有与晶圆厚度相适应的距离;所述第二定位柱可运动地设置在基板上;所述第二定位柱在第二端头可压住晶圆的位置与第二端头不压住晶圆的位置之间移动。

优选地是,所述第二定位柱可沿转轴转动地设置在基板上,所述转轴安装于基板上。

优选地是,所述的基板设置有导向槽,所述第二定位柱设置于导向槽内并可在导向槽内移动。

优选地是,所述转轴与第二定位柱通过连杆连接。

优选地是,还包括定位销,所述定位销设置于基板上并位于转轴与第二定位柱之间;所述定位销与所述连杆可拆卸连接。

优选地是,所述连杆设置在基板背面;所述基板设置有第二通孔,第二通孔位于转轴与导向槽之间;所述定位销穿过第二通孔与连杆可拆卸连接。

优选地是,所述的定位销与连杆螺纹连接。

优选地是,两个以上的第一定位柱形成的圆周弧度小于180度;所述第二定位柱移动至压住晶圆的位置处时,第二定位柱与两个以上的第一端头沿圆周方向分布;且第二定位柱与两个以上的第一定位柱形成的圆周弧度大于180度。

优选地是,所述基板至少一个侧面间隔设置两个第三定位柱;两个第三定位柱中的一个位于第一定位槽内,另一个位于第二定位槽内。

优选地是,所述基板相对的两侧面对称设置有四个第三定位柱,每一侧设置有两个第三定位柱。

优选地是,位于同一侧的两个第三定位柱之间的距离,小于等于第一定位槽槽底与第二定位槽槽底的距离。

优选地是,所述基板设置有第三通孔。

优选地是,所述的基板正面设置有导流槽,所述导流槽延伸至第一通孔。

优选地是,所述第一端头与基板正面之间具有第一卡槽;所述第二端头与基板正面之间具有第二卡槽。

本实用新型中的晶圆处理装置,结构简单,使用方便。利用抽真空去除晶圆盲孔内的气泡,去除率高。去除气泡后,利用容器内真空度低可自动将润湿液吸入容腔内,无需泵送装置输送润湿液,操作简便。本实用新型中使用的晶圆夹具,结构简单,装夹及拆卸晶圆时间短,工序少,节省时间。基板设置有第一通孔,可对晶圆正面及背面进行处理,基板不影响对晶圆背面的处理。利用第三定位柱与第一定位槽、第二定位槽配合,晶圆夹具可稳固地设置在支架上,可降低损坏晶圆的风险。

附图说明

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