[实用新型]晶圆处理装置

权利要求书

1.晶圆处理装置，其特征在于，包括槽体，所述槽体设置有容腔；所述容腔内设置有支架。

2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述支架具有一弧形边，所述弧形边的中部设置有沿支架高度方向延伸的第一定位槽；所述第一定位槽一侧或两侧设置有第二定位槽；所述第二定位槽设置于弧形边上且沿支架高度方向延伸；所述第一定位槽高度大于第二定位槽高度。

3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述支架数目为两个，两个支架间隔设置。

4.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述槽体设置有可打开的密封槽盖，所述密封槽盖密封容腔。

5.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述槽体设置有抽真空管，所述抽真空管与容腔连通。

6.根据权利要求5所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述的槽体上安装有用于检测容腔内真空度的检测仪。

7.根据权利要求5所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述槽体还安装有进液管和出液管，所述进液管与出液管均与容腔连通。

8.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括晶圆夹具，所述晶圆夹具包括基板，所述基板中部设置有第一通孔；基板正面设置有两个以上的第一定位柱，两个以上的第一定位柱沿圆周方向分布；所述第一定位柱端部设置有用于压住晶圆的第一端头；所述第一端头与基板正面具有与晶圆厚度相适应的距离；还包括至少一个可运动的第二定位柱；所述第二定位柱具有可压住晶圆的第二端头；所述第二端头与基板正面具有与晶圆厚度相适应的距离；所述第二定位柱可运动地设置在基板上；所述第二定位柱在第二端头可压住晶圆的位置与第二端头不压住晶圆的位置之间移动。

9.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第二定位柱可沿转轴转动地设置在基板上，所述转轴安装于基板上。

10.根据权利要求9所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述的基板设置有导向槽，所述第二定位柱设置于导向槽内并可在导向槽内移动。

11.根据权利要求10所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述转轴与第二定位柱通过连杆连接。

12.根据权利要求11所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括定位销，所述定位销设置于基板上并位于转轴与第二定位柱之间；所述定位销与所述连杆可拆卸连接。

13.根据权利要求12所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述连杆设置在基板背面；所述基板设置有第二通孔，第二通孔位于转轴与导向槽之间；所述定位销穿过第二通孔与连杆可拆卸连接。

14.根据权利要求13所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述的定位销与连杆螺纹连接。

15.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，两个以上的第一定位柱形成的圆周弧度小于180度；所述第二定位柱移动至压住晶圆的位置处时，第二定位柱与两个以上的第一端头沿圆周方向分布；且第二定位柱与两个以上的第一定位柱形成的圆周弧度大于180度。

16.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述基板至少一个侧面间隔设置两个第三定位柱；两个第三定位柱中的一个位于第一定位槽内，另一个位于第二定位槽内。

17.根据权利要求16所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述基板相对的两侧面对称设置有四个第三定位柱，每一侧设置有两个第三定位柱。

18.根据权利要求16所述的晶圆处理装置，其特征在于，位于同一侧的两个第三定位柱之间的距离，小于等于第一定位槽槽底与第二定位槽槽底的距离。

19.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述基板设置有第三通孔。

20.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述的基板正面设置有导流槽，所述导流槽延伸至第一通孔。

21.根据权利要求8所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一端头与基板正面之间具有第一卡槽；所述第二端头与基板正面之间具有第二卡槽。