[实用新型]一种ESD防护电阻有效
| 申请号： | 201120565124.6 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN202373579U | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 曾传滨;李多力;海潮和;李晶;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 esd 防护 电阻 | ||
1.一种ESD防护电阻，其特征在于，包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底；
所述电阻导电区包括电阻承载层和硅化物层，所述硅化物层附着于所述电阻承载层之上，所述硅化物层的一端设有阳极欧姆接触区，所述硅化物层的另一端设有阴极欧姆接触区，所述硅化物层于所述阳极欧姆接触区和阴极欧姆接触区之间形成硅化物层电阻区；
所述阳极连接于所述阳极欧姆接触区，所述阴极连接于所述阴极欧姆接触区；
所述第Ⅱ隔离层环绕所述电阻导电区设置；
所述第Ⅰ隔离层附着于所述电阻承载层和所述第Ⅱ隔离层之下；
所述第Ⅲ隔离层附着于所述硅化物层和所述第Ⅱ隔离层之上，所述阳极和所述阴极分别从所述第Ⅲ隔离层伸出；
所述衬底附着于所述第Ⅰ隔离层之下。
2.根据权利要求1所述的ESD防护电阻，其特征在于，所述第Ⅰ隔离层和/或第Ⅱ隔离层和/或第Ⅲ隔离层由选自二氧化硅、玻璃、氮化硅、氮氧化硅、高介电常数介质材料、低介电常数介质材料中的一种或者几种制成。
3.根据权利要求1所述的ESD防护电阻，其特征在于，所述电阻承载层由选自多晶硅、单晶硅、非晶硅中的一种制成。
4.根据权利要求3所述的ESD防护电阻，其特征在于，所述电阻承载层掺入P型和/或N型杂质。
5.根据权利要求1所述的ESD防护电阻，其特征在于，所述硅化物层由选自钛硅化物、钴硅化物、镍硅化物中的一种制成。
6.根据权利要求1所述的ESD防护电阻，其特征在于，所述硅化物层电阻区的长宽比能够调节，从而获得需要的阻值。
7.根据权利要求1所述的ESD防护电阻，其特征在于，所述硅化物层电阻区的面积能够调节，从而能够在选定阻值条件下获得需要的敏感电流。
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