[实用新型]一种气相沉积用多层制品支架有效
| 申请号: | 201120506237.9 | 申请日: | 2011-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN202369641U | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
| 发明(设计)人: | 刘汝强 | 申请(专利权)人: | 刘汝强 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 吕利敏 |
| 地址: | 251200 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 沉积 多层 制品 支架 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种气相沉积室内的生产夹具,特别涉及一种多层结构的气相沉积炉内生产用多层制品支架。
背景技术
化学气相沉积(CVD)法被认为是最有前景的碳化硅涂层制备方法,因为它对形状复杂和带内表面的部件具有极佳的适应能力,可以在相对较低温度下进行涂层制备。
株式会社新王磁材于1999年9月29日申请的申请号为200510004777.6,名称为“用于气相沉积设备中的制品支架”。所述制品支架主要是支撑平面型的样品,该发明的制品支架包括一个管状的主体,所述主体的内直径尺寸构成适合保持所述制品,所述主体由不锈钢丝制成。中间部分包括围绕所述主体的线圈缠绕的小直径螺旋弹簧,所述中间部分中具有以相互间隔的关系设置的线圈,从而使保持在所述制品支架中的制品暴露出来以便从支架外进行表面处理。
碳化硅涂层制品生产时,是将待涂产品通过支架的支撑放置于反应室内,气体反应在待涂的产品表面沉积形成碳化硅涂层,所以对于碳化硅涂层制品生产的质量和数量而言,合适的支架设计及空间摆放就显得尤为重要。现在大都集中在既能保证涂层质量,又能提高产品数量的单层夹具设计上,但是单纯增加支架由于受炉内的直径大小等客观条件的影响,产量的增加非常有限的。总体而言,各种单层结构的夹具设计及使用,在单炉生产时产品的数量还是较少的,生产效率低,生产成本高。
发明内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供一种化学气相沉积用多层制品支架。
本实用新型还提供利用上述多层制品支架的化学气相沉积反应室。
术语说明:
制品,是指利用化学气相沉积法进行涂层或薄膜生长的工件。本实用新型中主要包括进行碳化硅涂层的石墨基板或基片,但不限于此。
制品支架,生产中也称工件架或夹具,是放置在化学气相沉积反应室内用于承载待涂基板的支撑装置。
本实用新型的技术方案如下:
一种化学气相沉积用多层制品支架,包括由圆套筒、布气盘和支杆组成的单元层;所述单元层的结构是布气盘置于圆套筒上,支杆直立固定在布气盘上用于支撑待涂基板,在一个单元的布气盘上放置另一个单元层的圆套筒;其中,所述圆套筒壁的上部对称设有两个凹口便于气体流通;所述支杆有一尖端。
根据本实用新型优选的,圆套筒外径与布气盘直径相同。便于单元层的层层组合摆放。单元层的数量根据化学气相沉积反应室内空间大小和一炉生产制品的数量确定。
所述布气盘为设有通孔的石墨圆盘,通孔是分散均匀气体的气流流通通道。
所述布气盘上固定的支杆数量及摆放形式根据待涂基板的数量、形状及大小决定,以尽量少的钨针固定支撑尽量多的基板为目标。优选的,3~6个支杆支撑一个基板,最优选的,3个支杆支撑一个基板。
所述圆套筒高度要求为支杆固定在布气盘上支撑基板后,基板顶部距离另一单元层的布气盘20-50mm。
根据本实用新型优选的,所述支杆为钨针。所述钨针底端固定在布气盘上的凹孔内,钨针顶端为针尖状。
根据本实用新型优选的,圆套筒为石墨材质,壁厚6~8mm。
根据本实用新型优选的,所述圆套筒壁上部的凹口形状为弧形、长方形、方形或锥形。
根据本实用新型优选的,化学气相沉积用多层基板支架由3~5个单元层组成。
一种化学气相沉积反应室,包括反应室腔体和本实用新型所述的多层制品支架,将所述的多层制品支架置于腔体内进气口上的进气布气板上,进气口位于反应室底部,出气口与进气口相对位于反应室的顶部。
上述的化学气相沉积反应室为低压化学气相沉积设备。
本实用新型的多层制品支架可以用于多种涂层制品的化学气相沉积法生产中。特别是用于石墨基板碳化硅涂层制品的生产,可极大地提高生产效率。
本实用新型的优良效果如下:
本实用新型多层制品支架的结构简单合理,层层组合,可根据反应室大小灵活组合使用。多层制品支架使用时位于温度恒定区,各层的生产条件基本一致,可以保证每层的产品质量均一。
本实用新型多层制品支架中优选钨针来直接与待涂基板接触,钨针顶端的针尖上摆放待涂基板,这样待涂的产品除了最少3个极小的支撑点外,其他部分都暴露在气氛中都能够被涂覆,可以保证涂层完整均匀。此外,钨针的硬度大,承重好,针尖所占的空间也很小;钨针的耐高温性好,在反应室内高温的条件下,不会发生反应或者融化。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





