[实用新型]半导体封装构造有效
| 申请号： | 201120482305.2 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN202394954U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 方仁广 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 构造 | ||
1.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：
一基板，具有一上表面，所述上表面设有数个接垫；
数根导电凸块，形成在所述基板的接垫上；
一第一芯片，具有一第一有源表面及一第一背面，所述第一有源表面朝下并设有数个第一焊垫，及所述第一背面朝上，其中所述基板上的导电凸块对应电性连接所述第一焊垫；
一第二芯片，具有一第二有源表面及一第二背面，所述第二有源表面朝上并设有数个第二焊垫，及所述第二背面朝下并贴接在所述第一芯片的第一背面上；以及
数条导线，电性连接在所述第二焊垫及所述基板的接垫之间。
2.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述导电凸块的高度介于100至120微米。
3.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：每一所述导电凸块的一顶端上具有一预焊料层，以焊接结合所述第一焊垫。
4.如权利要求3所述的半导体封装构造，其特征在于：所述导电凸块的顶端及所述预焊料层之间另有一润湿层。
5.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述基板的接垫上依序镀有一粘着层及一铜种子层，以结合所述导电凸块。
6.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述导电凸块选自铜柱凸块或镍柱凸块。
7.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：另包含一封装胶体，
用以包覆保护所述第一芯片、导电凸块、第二芯片及导线。
8.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：
一基板，具有一上表面，所述上表面设有数个接垫；
数根导电凸块，形成在所述基板的接垫上；以及
一第一芯片，具有一第一有源表面及一第一背面，所述第一有源表面朝下并设有数个第一焊垫，及所述第一背面朝上，其中所述基板上的导电凸块对应电性连接所述第一焊垫。
9.如权利要求8所述的半导体封装构造，其特征在于：所述导电凸块的高度介于100至120微米。
10.如权利要求8所述的半导体封装构造，其特征在于：每一所述导电凸块的一顶端上具有一预焊料层，以焊接结合所述第一焊垫；以及所述导电凸块的顶端及所述预焊料层之间另有一润湿层。
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